Эволюция охраны. Интегральные микросхемы представляют собой один из важнейших объектов интеллектуальной собственности, поскольку они имеют широчайшее распространение во всех современных устройст­вах как бытового, так и промышленного назначения.

Техническая эволюция интегральных микросхем прошла несколько этапов. Прообразом были радиоприемные устройства, для создания кото­рых использовались принципиальные и монтажные схемы. Первые пред­ставляли собой графические изображения электрических соединений всех элементов электронных устройств с их спецификациями, а вторые - про­странственное расположение вышеуказанных элементов, т. е. радиоламп, сопротивлений, конденсаторов, индуктивностей и т. д.

С появлением полупроводниковых транзисторов все детали элек­тронных устройств стали монтировать на печатных платах, что позволи­ло уменьшить размеры и энергопотребление устройств. Последующая миниатюризация электронных устройств привела к созданию микро­схем, в которых все элементы создавались на одном полупроводнико­вом кристалле. Первая микросхема была разработана Д. Килби в 1958 г. и произведена в 1961 г. фирмами Fairchild Semiconductor Corp. и Texas Instruments.

Co временем микросхемы совершенствовались, повышалась степень их интеграции и надежность. В настоящее время микросхемы могут содер­жать миллионы элементов. Одним из важнейших видов интегральных микросхем общего назначения стали микропроцессоры, созданные фир­мами Intel в 1971 г. и Motorola, что стало основой широчайшей компьюте­ризации всех сфер деятельности.

Обычно интегральные микросхемы определяются следующим обра­зом.

Интегральная микросхема - это изделие, в котором активные (транзисторы и диоды), пассивные (сопротивления, конденсаторы и ин­дуктивности) и соединяющие их компоненты электронной схемы воплощены в объеме составного полупроводникового носителя.

В настоящее время производство интегральных микросхем представ­ляет собой одну из важнейших отраслей промышленного производства, обеспечивающую совершенствование и создание новой продукции и но­вых производств.

Как и в отношении иных научно-технических достижений, произво­дители микросхем с самого начала столкнулись с проблемой копирования своих достижений конкурентами. Однако особенности микроэлектроники таковы, что копирование никогда не было простым. Иногда издержки на анализ и повторение оказываются выше, чем расходы на собственные ис­следования, разработки и производство.

Исключительная сложность современных интегральных микросхем Обеспечивает их техническую защиту от копирования. Тем не менее запад­ные фирмы, понимающие необходимость патентования для защиты своих научно-технических достижений на внутреннем и международном рынке, добивались правовой охраны своих микросхем. Первые формы охраны то­пологий (пространственных расположений элементов) интегральных Микросхем осуществлялись авторским правом по аналогии со схемами, Картами, чертежами. Впоследствии топологии интегральных микросхем стали охраняться специализированными законами, которые по принци­пам возникновения права относились к законодательству о промышлен­ной собственности.

В 1984 г. был принят Закон США об охране полупроводниковых схем, в в 1985 г. сходный закон появился в Японии. В Европейском союзе 1986 г. принята Директива «О правовой охране топологий полупроводни-вых продуктов»".

В странах с переходной экономикой первый закон о правовой охране топологий интегральных микросхем был принят в 1992 г. в Российской Федерации 2 , когда многие развитые страны уже обеспечили охрану топо­логий интегральных микросхем.

На международном уровне первая попытка охраны топологий инте­гральных микросхем сделана в Договоре об интеллектуальной собственно­сти в отношении интегральных микросхем 3 , принятом на Дипломатической конференции ВОИС в Вашингтоне в 1989 г. Этот Договор не вступил в си­лу, поскольку основные производители микросхем, прежде всего США и Япония, считали ряд его положений о принудительном лицензирова­нии не соответствующими их интересам. В ст. 4 Договора содержится важная норма, в соответствии с которой «каждая Договаривающаяся Сторона свободна выполнять свои обязательства по настоящему Дого­вору специальным законом о топологиях или своим законом об автор­ском праве, патентах, полезных моделях, промышленных образцах, не­добросовестной конкуренции или любым иным законом или сочетанием любых этих законов» 4 . Другими словами, топологии интегральных микро­схем могут охраняться различными законами об охране интеллектуальной собственности.

Основные положения Договора об интеллектуальной собственности в отношении интегральных микросхем, за исключением ст. 6(3), впослед-

Council Directive of December 16, 1986, on the Legal Protection of Topographies of Semiconductor Products (87/54/EEC) // Official Journal of the European Communities. No L 24 of January 27. 1987. P. 36.

2 См.: Интеллектуальная собственность. М., 1992. № 3-4. С. 11-15.

3 См.: Договор об интеллектуальной собственности в отношении интегральных
схем. Вашингтон: ВОИС. IP1C/DC/46. 26.05.1989.

208 Глава 5. Патентное право

§ 5.19. Охрана топологий интегральных микросхем 209

ствии были включены в Соглашение ТРИПС, которое признало тополо­гии интегральных микросхем объектом интеллектуальной собственности.

Объект охраны. Интегральные микросхемы являются одним из важней­ших объектов интеллектуальной собственности, поскольку они чрезвычай­но широко используются практически в любых современных товарах, от то­варов бытового назначения до автоматизированных систем, участков, устройств автоматизированного производства. Все современные транспорт ные средства как гражданского, так и военного назначения немыслимы без широкого использования интегральных микросхем.

Первые определения интегральных микросхем и их топологий были даны в Директиве Европейского союза и в Договоре об интеллектуальной собственности в отношении интегральных микросхем. Схожие определе ния используются в законодательстве некоторых стран с переходной эко номикой, однако они содержат неточности, связанные с недостаточным пониманием технического существа объекта охраны. Не претендуя на пол­ноту, можно предложить следующее определение.

Топология интегральной микросхемы - это пространственное распо­ложение всех компонентов интегральной микросхемы, воплощенной в полупроводниковом носителе.

Объектом охраны являются топологии интегральных микросхем, ко­торые реализуются в тех или иных изделиях. Несмотря на то что охрана предоставляется топологиям интегральных микросхем, знания топологии недостаточно для воссоздания изделия, в котором она используется. Необ­ходимо знать характеристики всех активных и пассивных элементов мик­росхемы. Однако установить детальные характеристики и свойства миллио­нов активных и пассивных элементов крайне сложно. Для сверхбольших интегральных микросхем обратный инжиниринг оказывается чрезвычайно сложным и дорогим. Современные интегральные микросхемы надежно за­щищены технически, и их дополнительная правовая охрана не всегда необ­ходима.

Субъекты охраны. Топологии интегральных микросхем признаются результатом творческого труда разработчиков. Микросхемы не могут быть созданы одним лицом за счет своих средств. Следовательно, тополог ии интегральных микросхем - это всегда служебные объекты.

Первичными субъектами права могут быть три категории лиц:

Правопреемники вышеуказанных лиц.

В отношении субъектов прав на топологии интегральных микросхем могут действовать mutatis mutandis (с соответствующими изменениями) по­ложения, подробно рассмотренные в § 5.6.

Условия правоспособности. Право на топологию интегральной мик­росхемы удостоверяется свидетельством об официальной регистрации то­пологии интегральной микросхемы, для получения которого заявитель Лол жен представить в патентное ведомство следующие документы:

Заявление о выдаче свидетельства;

Реферат.

В Российской Федерации требования к депонируемым документам установлены в Правилах составления, подачи и рассмотрения заявок на официальную регистрацию топологий интегральных микросхем, в соот­ветствии с которыми депонируемые материалы должны содержать:

1) полный комплект одного из следующих видов визуально восприни-
| маемых материалов, отображающих каждый слой регистрируемой тополо­
гии:

Послойные технологические чертежи;

Сборочный топологический чертеж, включая спецификацию;

Фотографии или копии с фотошаблонов (на бумажном носителе); фотографии на бумаге каждого слоя топологии, зафиксированной

в интегральной микросхеме;

2) четыре образца интегральной микросхемы, включающие регистри­
руемую топологию в том виде, в котором она была использована в целях
получения прибыли.

По существу, эти требования направлены на выявление производст­венных секретов и ноу-хау заявителя, поскольку почти все перечисленное является строжайшим секретом (top-secret) разработчиков и разглашение их в любом виде лишает разработчиков конкурентных преимуществ и под­рывает дальнейшие разработки и производство микросхем. Таким обра­зом, основная часть депонируемых материалов относится к закрытой ин­формации разработчика, который никогда не передаст достоверную информацию патентному ведомству, поскольку информация станет достоя­нием третьих лиц, хотя в ст. 4(2) Директивы Европейского союза установ­лено, что страны должны обеспечить неразглашение секретов, содержа­щихся в депонируемых материалах.

Понимая, что депонируемые материалы относятся к секретам заяви­теля, разработчики Правил сделали оговорку: «Если какой-либо слой то­пологии содержит сведения конфиденциального характера (например, относящиеся к ноу-хау), в визуально воспринимаемых материалах соот­ветствующая часть этого слоя (или целиком слой) может быть изъята и включена в состав депонируемых материалов, идентифицирующую то­пологию в закодированной форме»".

Сделанная оговорка не менее абсурдна.

Интеллектуальная собственность. М., 1993. № 3-4. С. 230.

210 « Глава 5. Патентное право

§ 5.19. Охрана топологий интегральных микросхем 211

Во-первых, информация о каждом слое топологии является секретной.

Во-вторых, сложно получить цифровое изображение слоев микросхе­мы и закодировать это изображение.

В-третьих, любая закодированная информация может декодироваться заинтересованными лицами.

Другими словами, требования к депонируемым материалам нельзя при­знать обоснованными. Патентное ведомство не имеет права требовать сек­ретную информацию заявителя, а заявитель не должен и не станет ее пред­ставлять.

Требование к образцам микросхем, представляемых на депонирова­ние, нелепо, поскольку заявителю предложено заявлять такую микросхе­му, чтобы третьи лица могли получить с нее визуально воспринимаемое изображение каждого слоя топологии! Требование не только абсурдное, но и невыполнимое для современных интегральных микросхем. Почему раз­работчик должен создавать микросхемы, которые могут легко копировать третьи лица? Видимо, разработчики помнили о тщетности усилий инсти­тутов и предприятий Министерства среднего машиностроения СССР в по­слойном сканировании зарубежных микропроцессоров и в налаживании производства «кривых» копий этих микросхем.

По-видимому, существовали наивные надежды, что зарубежные про­изводители станут регистрировать свои интегральные микросхемы со все­ми своими производственными секретами и образцами. Естественно, это­го не произошло. В результате в России зарегистрировано чуть более 200 топологий. Более того, никто не даст гарантий, что выданные свидетельст­ва подтверждены депонированными материалами, которые действительно относятся к заявленным топологиям. Ведь никакая экспертиза, по сущест­ву, не ведется, по крайней мере в самом патентном ведомстве.

Анализ требований к депонированным материалам, идентифицирую­щих интегральную микросхему, показывает, что патентные ведомства соз­дали недейственную систему регистрации и охраны топологий. Разработчи­ки, поставив перед собой цели, которые не имеют никакого отношения к охране топологий, не смогли или не захотели понять, что требования к депонируемым документам должны быть очень простыми и не затрагивать секреты заявителей.

Патентное ведомство могло потребовать любые документы от заявите­ля, которые, по его мнению, идентифицируют его топологию. Для этого вполне достаточно предоставлять лишь выборочную информацию по то­пологии, например изображение любой части любого слоя интегральной схемы, т. е. своего рода «пасхальное яйцо», на основании которого никто не смог бы создать новую микросхему, но заявителю таких депонирован­ных материалов могло оказаться достаточным, чтобы убедительно отверг­нуть притязания третьих лиц на его топологию.

Именно такой подход использован в Правилах составления, подачи и рассмотрения заявок на официальную регистрацию программ для элек-

онных вычислительных машин и баз данных, в которых установлено, то «в целях идентификации депонируемой программы для ЭВМ следует представлять материалы в объеме 25 первых и 25 последних страниц лис­тинга (печатной копии) исходного текста» 1 . Аналогично можно было бы установить требования к депонируемым материалам, идентифицирующим топологию. Несомненно, заявитель может и в таком случае представить любую информацию и получить охранное свидетельство. Примером может быть получение в Российском патентном ведомстве свидетельства № 2006613993 от 21 сентября 2006 г. об официальной регистрации компь­ютерной программы Windows Vista лицом, которое не имеет никакого от­ношения к действительному разработчику и создателю данной операцион­ной системы.

Законодательство об охране топологий интегральных микросхем при­знает два условия охраноспособности:

Творческий характер топологии;

Оригинальность топологии.

Несмотря на то что оба условия взаимосвязаны, между ними есть различия. Творческий характер труда авторов топологии признается, по­скольку авторами топологии считаются физические лица, в результате i ворческой деятельности которых создана топология. С содержательной точки зрения невозможно отрицать творческий характер авторов тополо­гии. Дело в том, что хотя электрические связи компонентов микросхемы предопределяются соответствующими принципиальными схемами, рас­положение этих компонентов и связи между ними реализуются благодаря творческой деятельности авторов топологии.

Можно напомнить о презумпции творческого характера составителей некоторых произведений, рассмотренной в § 2.12, поскольку любое распо­ложение материалов сборника может считаться творческим из-за невоз­можности доказать обратное. Аналогичное справедливо и для топологий: любое пространственное расположение элементов интегральной схемы должно признаваться творческим. Если следовать аналогии с творческим характером объектов авторского права, то творчество распространяется почти на любую чертежную документацию, которая близка к топологиям интегральных микросхем. Наконец, если признаются результатом велико­го творчества четыре перпендикулярные линии Малевича, то нет никаких объективных причин отказывать в творчестве разработчикам топологий, содержащих миллионы элементов и соединяющих их линий электричес­кого характера.

Вторым условием охраноспособности признается оригинальность топо­логии. В ст. 1448(2) Гражданского кодекса Российской Федерации установ­лено, что «топология интегральной микросхемы признается оригиналь­ной, если не доказано обратное».

Интеллектуальная собственность. С. 39.

212 Глава 5. Патентное право

§ 5.19. Охрана топологий интегральных микросхем 213

В Договоре об интеллектуальной собственности в отношении инте­гральных схем определение оригинальности более содержательное". В комментариях к проекту договора отмечалось, что «два условия должны быть выполнены для удовлетворения требования оригинальности, а имен­но: чтобы топологии являлись результатом собственного интеллектуаль­ного усилия их создателей и чтобы они не были общеизвестными среди создателей топологий и изготовителей микрочипов во время их созда­ния» 2 . Эти условия содержатся и в Директиве Европейского союза и под­тверждены с некоторой национальной спецификой в законодательстве стран с переходной экономикой. Нетрудно установить, что оригиналь ность топологии, по существу, совпадет с ее новизной «среди создателей топологий».

Следовательно, для интегральных микросхем условия охраноспособно сти топологий выполнены, если топология является результатом творческо­го труда и является новой, неизвестной иным разработчикам и производите лям интегральных микросхем. Второе условие охраноспособности важно для третьих лиц, которые намерены оспорить предоставленные права на зарегистрированную топологию микросхемы.

Поскольку второе условие охраноспособности патентное ведомство не может проверить из-за отсутствия информации об иных топологиях в ми ре, оно вынуждено использовать явочную систему выдачи охранных доку ментов на топологии интегральных микросхем. Поэтому абсурдные требо­вания к депонируемым документам, о которых говорилось выше, вообще излишни, поскольку патентное ведомство не может осуществить экспер­тизу по существу. Если же третьи лица предъявят возражения в отношении выданных свидетельств на какую-либо топологию, то обладатель свиде­тельства должен сам доказывать правомерность полученного свидетельст­ва, которое выдается под ответственность заявителя.

Таким образом, патентное ведомство проводит только формальную экспертизу заявки на получение охранного документа. Если в результате экспертизы будет установлено, что документы, входящие в заявку, оформ лены правильно, принимается решение о выдаче свидетельства на тополо­гию. Такое свидетельство выдается патентным ведомством после внесения сведений о топологии в Реестр топологий интегральных микросхем. Сви­детельство на топологию удостоверяет авторство, приоритет топологии и право на ее использование.

Патентное ведомство взимает пошлины за совершение «юридически значимых действий». В отличие от патента, действие которого поддержи­вается только при обязательной уплате регулярных пошлин, пошлины за поддержание в силе свидетельства о топологии не уплачиваются. Другими

1 См.: Договор об охране интеллектуальной собственности в отношении интеграль­
ных схем. Вашингтон: ВОИС. 1PIC/DC/46. 26.05.1989. С. 4.

2 Проект Договора об охране интеллектуальной собственности в отношении интег­
ральных схем. Вашингтон: ВОИС. IPIC/DC/3. 31.01.1989. С. 20.

словами, свидетельство на топологию не нуждается в поддержании в силе И оно действует до окончания предоставляемого срока охраны без оплаты пошлин.

Предоставляемые права. Объем правовой охраны топологии определя­ется совокупностью ее элементов и связей между ними, представленных; В депонируемых материалах. Такая форма предоставления охраны являет­ся формальной, поскольку патентное ведомство не проводит экспертизу по существу и не может знать ни совокупности элементов топологии, ни (Соответствующих связей. Поэтому в действительности топологии инте­гральных микросхем охраняются как таковые.

В отличие от иных объектов патентного права законодательство о пра­вовой охране топологий допускает оповещения о правах автора топологии или его правопреемника. Такие оповещения или уведомления могут быть сделаны на интегральных микросхемах с охраняемой топологией. Законо­дательство стран с переходной экономикой допускает различные виды оповещений.

Например, в Российской Федерации уведомления представляют собой прописную букву «Т» в кавычках, в квадратных скобках, в окружности, в квадрате либо со звездочкой, дополненную датой начала действия исклю­чительного права и информацией, позволяющей идентифицировать пра­вообладателя. Вид таких оповещений впервые введен в ст. 9 Директивы Европейского союза «О правовой охране топологий полупроводниковых продуктов».

При анализе предоставляемых прав на топологии интегральных микросхем можно использовать mutatis mutandis (с соответствующими из­менениями) положения о правовой охране изобретений, подробно рас­смотренные в § 5.11. Эти положения относятся как к личному неимущест­венному праву (праву авторства), так и к исключительному праву на использование топологии. Кроме того, признается право на авторское воз­награждение.

С позиции принципа дуализма интеллектуальной собственности за­конодательство должно устанавливать нормы об исключительном праве на производство товаров, в которых воплощены топологии интегральных микросхем.

Исключительное право включает право на воспроизведение (производ­ство товара) и право на распространение (продажа и иное введение в граж­данский оборот товаров). Право на распространение интегральных микро­схем подлежит исчерпанию, т. е. оно перестает действовать после первой продажи или иной передачи права собственности на эту интегральную мик­росхему. Право на исчерпание подразумевается в ст. 6(5) Договора об ин­теллектуальной собственности в отношении интегральных схем и в ст. 6 Соглашения ТРИ ПС. В неточной форме исчерпание права на распростра­нение установлено в ст. 1456(3) Гражданского кодекса Российской Феде­рации.

214 Глава 5. Патентное право

§ 5.19. Охрана топологий интегральных микросхем 215

Охрана авторским правом. Как уже отмечалось, далеко не все положе­ния законодательства о правовой охране топологий интегральных микро­схем безупречны не только с правовой, но и с технической и даже лингвис­тической точки зрения.

Законодательство содержит формулировки, позволяющие считать, что топологии интегральных микросхем могут охраняться не только зако­нодательством о промышленной собственности, но и авторским правом. А. П. Сергеев обоснованно считает, что «регистрация топологий не явля­ется обязательным условием их правовой охраны»".

Действительно, в соответствии со ст. 1452(1) Гражданского кодекса Российской Федерации правообладатель может по своему желанию зареги стрировать топологию в течение срока действия исключительного права на топологию. Другими словами, еще до подачи заявления на регистрацию топологии автор или иное лицо уже обладают правами на топологию. Та­кое право могло у них возникнуть только в силу самого факта создания то­пологии, что характерно для возникновения охраны авторским правом. На общность топологий интегральных микросхем с объектами авторского права указывает и перечень неохраняемых объектов, который приводится как в законодательстве об авторском праве, так и в законе об охране топо­логий. В обоих случаях охрана не распространяется на идеи, способы, системы и проч.

Таким образом, топологии интегральных микросхем могут считаться объектами авторского права и охраняться соответствующим законода­тельством. Положение не удивительное, поскольку по всем признакам топологии очень близки к картографическим объектам (см. § 2.5). Кроме того, сам термин «топология», используемый в Гражданском кодексе Рос сийской Федерации, как и в законодательстве стран с переходной экономи кой, является неточным переводом термина «topography», который исполь­зуется в Директиве Европейского союза, Договоре об интеллектуальной собственности в отношении интегральных микросхем и Соглашении ТРИ ПС. Следовательно, правильным было бы использование не термина «топология», а термина «топография», который имеет самое прямое отно­шение к топографическим картам, являющимся признанными объектами авторского права. Термин «топология» стал устоявшимся в особом разделе математики, который изучает топологические, т. е. неизменные, свойства фигур при их любых неразрывных деформациях.

В отношении двойной охраны топологий интегральных микросхем существуют те же проблемы, как и для промышленных образцов, рассмот­ренные в § 5.18. Однако из-за служебного характера топологий негативные последствия двойной охраны не столь важны.

Сергеев А. П. Указ. соч. С. 693.

Ограничения охраны. Подобно иным объектам интеллектуальной соб­ственности, охрана топологий интегральных микросхем не является абсо­лютной, поскольку на охрану налагаются вполне определенные ограниче­ния.

В законодательстве стран с переходной экономикой не признаются на­рушением исключительных прав на охраняемую топологию следующие дейст­вия третьих лиц:

Использование топологии с целью оценки, анализа, исследования

или обучения;

Использование топологии в личных целях без извлечения прибыли;

Использование независимо созданной идентичной топологии; использование законно приобретенных товаров с интегральными

кросхемами, если покупатель не знал и не должен был знать о контра­ктное™ этих схем;

Применение интегральных микросхем, в которых воплощены охра-емые топологии, если они законно введены в гражданский оборот. Первым из названных использований является туманная форма ре-иниринга или обратного технического анализа, который обсуждался ра-

Второе использование - надуманное и бессмысленное. Трудно себе

едставить использование топологии в личных целях, например дома,

гараже, на даче. Именно топологии, а не самих интегральных микросхем.

Третье использование идентично праву преждепользования, которое ссматривалось для иных объектов патентного права.

Последний случай относится к исчерпанию права на распространение

обого товара.

Срок охраны. В ст. 1457 Гражданского кодекса Российской Федерации ок охраны топологий интегральных микросхем составляет 10 лет, однако оглашение ТРИ ПС допускает охрану топологий в течение 15 лет с мо-

;нта создания топологии.

Начало срока действия исключительного права на использование то-логии определяется по более ранней из следующих дат:

Первого использования топологии, документально подтвержденной

Регистрации топологии в патентном органе.
В случае появления идентичной оригинальной топологии, независимо

После истечения срока действия исключительного права топология переходит в общественное достояние. Необходимо подчеркнуть, что мик­росхемы морально и технически устаревают и снимаются с производства гораздо раньше окончания срока охраны их топологий, обычно за три - пять лет. Другими словами, установленный срок охраны топологий инте-фальных микросхем является завышенным. После морального старения

Глава 5. Патентное право

топологии не представляют интереса даже для стран, технологический уровень развития которых позволяет копировать устаревшие и снятые с производства микросхемы.

Ситуация со сроком охраны топологий микросхем напоминает про­должительность охраны компьютерных программ авторским правом, koi да программы морально устаревают за три - пять лет и оказываются нико му не нужными, а авторское право на такие уже бесполезные объекты про должает существовать. Если для иных произведений литературы, науки и искусства интерес к любому объекту может возникнуть в любой момент охраны, то для компьютерных программ он не возникает никогда: старые компьютерные программы оказываются совершенно ненужными, как и старые топологии интегральных микросхем.

У тех, кто впервые начинает знакомиться с содержанием главы 74 ГК РФ «Право на топологии интегральных микросхем», возникает масса вопросов, главные из которых: что такое та самая топология и почему нормы об ее правовой охране включены в ГК в виде отдельной главы, а не в разделе «Патентное право»?

Микросхемы - это продукт микроэлектроники. Пионерами в данной области являются Великобритания и США, где и были запатентованы первые разработки (так называемые чипы). Эти страны наравне с Японией, Тайванем, Южной Кореей и сегодня остаются лидерами в микроэлектронике.

В нашей стране микроэлектроника получила развитие в середине прошлого века в рамках военной промышленности, а затем ее достижения стали активно использоваться и в совершенно «мирных» целях. Сегодня сфера применения микросхем огромна, они используются практически во всех приборах, работа которых основана на использовании электричества. Между тем, технологии изготовления микросхем остаются одними из самых дорогих в мире, чем дороже технология, тем дороже и прибор, где микросхемы используются. Поэтому такие разработки требуют правовой охраны. В России топологии интегральных микросхем охраняются с 1992 г., т. е. с момента принятия Закона РФ от 23 сентября 1992 г. № 3526-1 «О правовой охране топологий интегральных микросхем» (ныне утратил силу).

Чтобы понять сущность данного результата интеллектуальной деятельности, необходимо немного, как говорится, «покопаться» в терминологии. Согласно п. 1 ст. 1448 ГК РФ «интегральной микросхемой является микроэлектронное изделие окончательной или промежуточной формы, которое предназначено для выполнения функций электронной схемы, элементы и связи которого нераздельно сформированы в объеме и (или) на поверхности материала, на основе которого изготовлено такое изделие». Таким образом, возможность предоставления правовой охраны предоставляется только топологиям микросхем интегральных. Применительно к микросхеме термин «интегральный» означает некую неразрывную связь, «единство» ее элементов, которые «нераздельно сформированы в объеме и (или) на поверхности материала, на основе которого изготовлено такое изделие». Если рассмотреть типичную интегральную микросхему, становится понятным выбор такого термина. Как правило, схема помещается в неразборный корпус. Такими микросхемами с соответствующей маркировкой «усыпаны» платы наших компьютеров, планшетов, мобильных телефонов и другой, окружающей нас сложной техники.

Повторим, что правовую охрану получает не сама микросхема, а ее топология. Согласно ст. 1448 ГК топологией интегральной микросхемы является зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними. В идеале в качестве материального носителя обычно используются кремниевые пластины (сама собой напрашивается аналогия с Кремниевой долиной - технологического центра США по производству полупроводниковых приборов), хотя возможны и иные варианты материалов или их сочетание. Цитата из реферата топологии для примера: «...выполняется на подложке из монокристаллического ниобата лития, на поверхности которой методом фотолитографии по напыленному слою алюминия формируется топология» .

Действительно, непосредственно в процессе производства топология обычно формируется методом фотолитографии - т. е. рисунка по специальному светочувствительному напылению, который служит основой для дальнейших технологических процессов. Однако для того, чтобы получить правовую охрану, сама топология может быть выражена не только в виде кристалла, но и чертежа, фотошаблона иного носителя, которые могут идентифицировать топологию.

Почему топология не является объектом патентного права? На этот счет среди специалистов продолжаются дискуссии. Одни ученые считают, что топологии - это объекты авторского права, другие - патентного, наконец, третьи полагают, что существует особая система охраны топологий интегральных микросхем, не вписывающаяся ни в патентную, ни в авторско-правовую охрану. Так, по мнению Э. П. Гаврилова и Е. А. Данилиной, «некоторые особенности топологий (например, трудности, возникающие при выражении сущности топологии в виде формулы изобретения), а также некоторые фактические обстоятельства (явное лидерство США и Японии) обусловили тот факт, что топологии во многих странах мира были “выведены” из сферы патентной охраны» .

Действительно считать топологию интегральной микросхемы объектом авторского права сложно по причине того, что, несмотря на творческий характер процесса ее создания, она меньше всего подходит под критерии произведения, которое, напомним, является главным объектом авторского права. Как ни крути, интегральная микросхема и ее топология - это продукт технического творчества. С другой стороны, именно охраняемую топологию трудно вписать в ряд объектов патентного права. С самой микросхемой понятно, по всем признакам она попадает под признаки устройства, а значит, и изобретения или, на крайний случай, полезной модели. Но еще раз напомним, что правовую охрану получает не микросхема, а пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы - т. е. ее топология. А топология не совсем вписывается в рамки технического решения. Вот и получается поле для научных дискуссий.

Как можно увидеть, законодатель сделал выбор в пользу третьей точки зрения и топологии интегральных микросхем получили самостоятельную правовую охрану в рамках гл. 74 ГК РФ.

Каким требованиям должна отвечать топология интегральной микросхемы для получения правовой охраны? Согласно п. 2 ст. 1448 ГК РФ правовая охрана распространяется только на оригинальную топологию интегральной микросхемы, созданную в результате творческой деятельности автора и неизвестную автору и (или) специалистам в области разработки топологий интегральных микросхем на дату ее создания. Топология интегральной микросхемы признается оригинальной, пока не доказано обратное. Таким образом, законодатель установил два критерия охраноспособности топологии - оригинальность и новизна, хотя последняя в норме п. 2 ст. 1448 ГК РФ напрямую не упоминается. Почему новизна напрямую не названа в качестве критерия охраноспособности, становится понятным при анализе абз. 2 п. 2 статьи, где сказано, что топологии, состоящей из элементов, которые известны специалистам на дату ее создания, предоставляется правовая охрана, если пространственно-геометрическое расположение совокупности таких элементов и связей между ними в целом отвечает требованию оригинальности.

Не попадают под правовую охрану идеи, способы, системы, технология или закодированная информация, которые могут быть воплощены в топологии интегральной микросхемы.

Автором топологии интегральной микросхемы является гражданин, творческим трудом которого она создана. Как и любые иные результаты интеллектуальной деятельности, топологии могут создаваться в соавторстве. На топологию возникают как личные неимущественные, так и имущественные (исключительные права). Личное неимущественное право - право авторства принадлежит автору топологии. Право авторства, т. е. право признаваться автором топологии, неотчуждаемо и непередаваемо, в том числе при передаче другому лицу или переходе к нему исключительного права на топологию и при предоставлении другому лицу права ее использования. Отказ от этого права ничтожен.

Право на получение свидетельства о государственной регистрации, т. е. право первоначального обращения для регистрации топологии, первоначально принадлежит автору, однако такое право:

• - может перейти к другому лицу (правопреемнику) в порядке универсального правопреемства;
• - может перейти к другому лицу по договору;
• - может перейти к работодателю по трудовому договору;
• - может перейти к другому лицу по иным основаниям, установленным законом.

Исключительное право на топологию может принадлежать как автору, так и иному лицу, которое становится правообладателем в силу закона или договора. Чаще всего правообладателями становятся организации-работодатели, в которых трудится автор топологии, а также государство, поскольку очень много топологий создается в рамках государственного контракта. В таких случаях топология становится служебной, а ее автор - автором служебной топологии.

Исключительное право на топологию интегральной микросхемы - включает право использовать, распоряжаться исключительным правом, а также разрешать или запрещать:

• - ввоз на территорию Российской Федерации, продажа и иное введение в гражданский оборот топологии, или интегральной микросхемы, в которую включена эта топология, или изделия, включающего в себя такую интегральную микросхему;
• - воспроизведение топологии в целом или частично путем включения в интегральную микросхему либо иным образом, за исключением воспроизведения только той части топологии, которая не является оригинальной.

При этом не является нарушением исключительного права на топологию воспроизведение, ввоз на территорию Российской Федерации, продажа и иное введение в гражданский оборот интегральной микросхемы или иного изделия, в которые включена незаконно воспроизведенная топология,если:

• - лицо, совершающее такие действия, не знало и не должно было знать, что в интегральную микросхему включена незаконно воспроизведенная топология;
• - указанное лицо может использовать наличный запас контрафактных изделий и обязано выплатить компенсацию за использование топологии правообладателю.

Также не являются нарушением исключительных прав на топологию случаи, когда:

• - топология используется в личных целях, не преследующих получение прибыли, а также в целях оценки, анализа, исследования или обучения;
• - распространяются интегральные микросхемы с топологией, ранее введенные в гражданский оборот лицом, обладающим исключительным правом на топологию, или иным лицом с разрешения правообладателя (подп. 1-3 ст. 1456 ГК РФ).

Исключительное право на топологию действует в течение 10 лет, и этот срок исчисляется либо с момента первого использования топологии, либо микросхемы, либо изделия, в котором есть такая микросхема (зафиксированная дата), либо с момента государственной регистрации топологии в Роспатенте.

Правообладатель для оповещения о своем исключительном праве на топологию вправе использовать знак охраны, который помещается на топологии, на изделиях, содержащих такую топологию, и состоит из выделенной прописной буквы «Т» в окружности или квадрате, даты начала срока действия исключительного права на топологию и информации, позволяющей идентифицировать правообладателя.

Теперь о процедуре государственной регистрации топологии. Правило о государственной регистрации топологии диспозитивно, т. е. такая регистрация, в отличие от рассмотренных выше объектов патентных прав, производится исключительно по желанию правообладателя и ее отсутствие не влияет на охраноспособность топологии.

Процедура государственной регистрации топологии регулируется ст. 1452 ГК РФ, а также положениями Административного регламента (далее - Регламент по регистрации топологий) . Схематично алгоритм оформления прав на топологию включает следующую последовательность действий. Прежде всего, составляется заявка на государственную регистрацию топологии, которая должна включать:

• - заявление о государственной регистрации топологии;
• - депонируемые материалы, идентифицирующие топологию, которые должны содержать полный комплект одного из следующих видов визуально воспринимаемых материалов:
  • фотографии или копии (на бумажных носителях) фотошаблонов;
  • сборочный топологический чертеж с соответствующей спецификацией;
  • послойные топологические чертежи;
  • фотографии каждого слоя топологии, зафиксированной в интегральной микросхеме.
• - реферат, который должен содержать сведения, предназначенные для последующей публикации в официальном бюллетене федерального органа исполнительной власти по интеллектуальной собственности.

Следует иметь в виду, что заявка на госрегистрацию топологии может быть подана в течение двух лет с даты первого использования топологии, если таковое имело место (п. 2 ст. 1452 ГК РФ).

После принятия заявки она проверяется на регистрацию. При проверке заявки на регистрацию устанавливается наличие необходимых документов и их соответствие требованиям, установленным Регламентом по регистрации топологий.

При положительном результате проверки (в том числе и после представления правообладателем исправленных и/или отсутствующих материалов, как по запросу, так и по своей инициативе) топология вносится в Реестр, правообладателю направляется уведомление о государственной регистрации и выдается свидетельство о государственной регистрации. Сведения о государственной регистрации топологии публикуются в официальном бюллетене Роспатента «Программы для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегральных микросхем».

Топологией интегральной микросхемы является зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной схемы и связей между ними (ст. 1 Закона Республики Беларусь «О правовой охране топологий интегральных микросхем»).

Интегральная микросхема – это микроэлектронное изделие окончательной или промежуточной формы, предназначенное для выполнения функций электронной схемы, элементы и связи которого нераздельно сформированы в объеме и (или) на поверхности материала, на основе которого изготовлено изделие. Однако объектом правовой охраны является сама топологическая схема .

Разработка топологии требует значительных интеллектуальных усилий, затрат времени и материальных ресурсов. Поэтому результат труда разработчиков микросхемы нуждается в правовой охране, защищающей топологию от копирования конкурентами.

Правовая охрана распространяется только на оригинальную топологию, т.е. созданную в результате творческой деятельности автора. При этом топология признается оригинальной до тех пор, пока не доказано обратное. Одним из доказательств отсутствия оригинальности может служить общеизвестность топологии разработчикам и изготовителям интегральной микросхемы на дату ее издания. Топология, состоящая из элементов, общеизвестных разработчикам и изготовителям интегральной микросхемы, охраняется только в том случае, если совокупность таких элементов в целом является оригинальной.

Правовая охрана топологии в Республике Беларусь предоставляется на основании ее регистрации в патентном органе. Право на топологию охраняется государством и удостоверяется свидетельством. Свидетельство на топологию удостоверяет авторство, приоритет топологии и исключительное право на ее использование. Объем правовой охраны, предоставляемой топологии, определяется совокупностью ее элементов и связей, представленных в депонируемых материалах.

Исключительное право на использование топологии действует в течение 10 лет. При этом особенностью определения срока действия данного права является то, что началом срока его действия является либо дата первого использования топологии, либо дата регистрации топологии в патентном органе, в зависимости от того, какая из указанных дат имела место раньше.

13. Субъекты патентного права. Авторы и патентообладатели

Авторство в отношении изобретения, полезной модели, промышленного образца, селекционного достижения презюмируется. При подаче заявки на получение патента не требуется документально подтверждать авторство в отношении заявляемого решения или селекционного достижения. Лицо, указанное автором в выданном патенте, считается таковым, пока этот патент не будет оспорен и другое лицо не докажет свое авторство.

Если объект права промышленной собственности создан совместным творческим трудом нескольких граждан, то все они признаются авторами (т. е. соавторами). Порядок пользования правами на такой объект определяется соглашением между соавторами. Не признаются соавторами физические лица, не внесшие личного творческого вклада в создание любого объекта права промышленной собственности, оказавшие автору или соавторам только техническую, организационную или материальную помощь либо только способствовавшие оформлению прав на соответствующий объект права промышленной собственности и его использованию.

Не признаются соавторами должностные лица, которые содействовали автору в силу того, что они руководят организацией и поэтому выполняют различные мероприятия, способствовавшие созданию объектов права промышленной собственности. Не порождает соавторства и высказанная идея, не содержащая возможного решения задачи и его описания.

Патентообладателем является юридическое или физическое лицо, на имя которого зарегистрирован патент.

Патентообладателем лицо может стать несколькими способами: получить патент, приобрести патент у другого лица или получить патент в порядке правопреемства. Поэтому основания для обладания патентом можно подразделить на первоначальные и производные.

Патентное законодательство определяет круг лиц, которые могут стать первоначальными патентообладателями.В соответствии со ст. 4 Закона «О патентах на изобретения, полезные модели, промышленные образцы» право на получение патента принадлежит:

Физическому или юридическому лицу, являющемуся нанимателем автора изобретения, полезной модели, промышленного образца, в определенных Законом случаях случаях;

Физическому и (или) юридическому лицу или нескольким физическим и (или) юридическим лицам (при условии их согласия), которые указаны автором (соавторами) в заявке на выдачу патента либо в заявлении, поданном в патентный орган до момента регистрации изобретения, полезной модели, промышленного образца;

Правопреемнику (правопреемникам) указанных выше лиц.

В соответствии со ст. 5 Закона «О патентах на сорта растений» патент на сорт растения выдается:

гражданину (гражданам) или юридическому лицу (лицам), которые указаны автором (авторами) в заявке или в заявлении, поданном в патентное ведомство до момента регистрации сорта, при наличии договора;

Под топологией интегральных микросхем (далее топологией) понимается зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними. Упомянутым материальным носителем является часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки – кристалл интегральной микросхемы.

В соответствии с Вашингтонским договором об интеллектуальной собственности в отношении интегральных микросхем 1989 года, правовая охрана распространяется только на оригинальные микросхемы.

Оригинальной является топология, созданная в результате творческой деятельности ее автора. При этом топология признается оригинальной до тех пор, пока не доказано обратное. Топологии, состоящей из известных элементов, правовая охрана предоставляется в тех случаях, когда совокупность этих элементов оригинальна, то есть является результатом творческих усилий ее создателя.

Оригинальность – единственный значимый признак для предоставления объекту правовой охраны. Ни время создания, ни факт регистрации не влияют на возникновение правой охраны топологии.

Топология регистрируется по желанию автора или иного правообладателя. Регистрируя новую топологию в патентном ведомстве РФ, правообладатель не только публично заявляет о своих правах, но и официально депонирует информацию о тех признаках, которые отличают его топологию от уже известных. В случае копирования или иного неправомерного использования топологии факт ее регистрации в значительной степени может облегчить процесс доказывания нарушения прав.

Обладателями прав на топологии интегральных микросхем выступают авторы или соавторы, их наследники, а также любые физические или юридические лица, которые приобрели права по договору или в силу закона.

Юридические лица ни при каких условиях прав авторства на топологию не приобретают и могут выступать лишь обладателем прав на ее использование. В таком качестве юридические лица выступают, когда топология создана в порядке выполнения служебного задания или если автор создал ее по договору с заказчиком, который не является его работодателем.

Передача имущественных прав на топологии интегральных микросхем. Авторам и иным правообладателям топологий законом предоставляется возможность полной или частичной передачи прав на ее использование другим лицам. Передача имущественных прав оформляется гражданско-правовым договором, который так же, как и сама топология, может быть зарегистрирован в Роспатенте. Кроме того, законом установлены случаи свободного использования топологий, которые являются изъятыми из сферы исключительного права их обладателя. Перечень свободного использования топологий, указанный в законе, носит исчерпывающих характер.

Виды нарушений исключительных имущественных прав на топологии:

копирование топологий в целом или в части путем ее включения в интегральную микросхему или иным образом, за исключением копирования только той ее части, которая не является оригинальной;

применение, ввоз, предложение к продаже и иное введение в хозяйственный оборот топологии или интегральной схемы с этой топологией.

Защита нарушенных имущественных прав на топологии интегральных микросхем.

Нарушение прав авторов или правообладателей топологий может служить основанием для требования о применении к правонарушителям предусмотренных законом санкций. Нарушение личных неимущественных прав чаще всего выражается в их отрицании или присвоении другими лицами. Основными способами защиты личных неимущественных прав могут быть требования авторов о признании нарушенного или оспариваемого права, о восстановлении положения, существовавшего до нарушения и о прекращении действий, нарушающих право или создающих угрозу его нарушения.

Защита нарушенных имущественных прав осуществляется путем пресечения действий, нарушающих права или создающих угрозу их нарушения, а также путем требования о возмещении убытков. Например, правообладатель топологии может требовать наложения запрета на несанкционированное применение или продажу интегральных микросхем. Что касается причиненных убытков, то они подлежат возмещению в полном объеме, включая не только реальный ущерб, понесенный правообладателем, но и упущенную им выгоду. Законом устанавливается, что в размер убытков включается сумма доходов, неправомерно полученных нарушителем.

Помимо возмещения причиненных убытков по усмотрению суда или арбитражного суда с правонарушителя может быть взыскан штраф в размере 10% от суммы, присужденной судом в пользу истца. Указанный штраф налагается на нарушителя в случае неоднократного или грубого нарушения прав потерпевшего и взыскивается в доход государственного бюджета Российской Федерации.

Регистрация топологий осуществляется в патентном ведомстве – Российском агентстве по патентам и товарным знакам (Роспатент).

Затем пластину переворачивают, шлифуют и полируют со стороны монокристаллического кремния почти до пленкиSiO2 . Оставшийся перед пленкойSiO2 слой монокристаллического кремния снимают в полирующем травителе. В результате получается подложка с изолированными областями(карманами) монокристаллического кремния. В каждом из карманов обычными приемами планарной технологии формируют необходимые структуры активных и пассивных элементов ИМС. Таким образом, изоляция элементов ИМС осуществляется тонкой пленкой SiO2 . Слой поликристаллического кремния, в котором утоплены области монокристаллического кремния, играет роль несущей подложки.

Изоляция элементов ИМС воздушными промежутками.

Принципиальное отличие изоляции воздушными промежутками от изоляции тонкой пленкой диэлектрика заключается в наличии непроводящей подложки. Этим отличием обусловлены качественно новые характеристики ИМС.

К методам изоляции элементов ИМС воздушными промежутками относятся: декаль-метод, метод балочных выводов, метод «кремний на сапфире» (КНС) и др.

Комбинированный способ изоляции.

Стремление к использованию преимуществ, которыми обладают методы изоляции с помощью обратно смещенногоp -n - перехода и диэлектрической изоляции в единой структуре, привело к созданию комбинированного способа изоляции. При комбинированном способе изоляция элементов с боковых сторон осуществляется диэлектриком, а со стороны дна– обратно смещенным p -n -переходом. Способы комбинированной изоляции, (изопланар, эпипланар, полипланар и др.) наиболее перспективны для получения высокой плотности размещения элементов и улучшения электрических параметров ИМС.

5.8 Разработка топологии полупроводниковых ИМС

Основой для разработки топологии полупроводниковой ИМС являются электрическая схема, требования к электрическим параметрам и к параметрам активных и пассивных элемен-

тов, конструктивно-технологические требования и ограничения. Разработка чертежа топологии включает в себя такие этапы:

выбор конструкции и расчет активных и пассивных элементов ИМС; размещение элементов на поверхности и в объеме подложки и создание рисунка разводки(коммутации) между элементами; разработку предварительного варианта топологии; оценку качества топологии и ее оптимизацию; разработку окончательного варианта топологии. Целью работы конструктора при разработке топологии является минимизация площади кристалла ИМС, минимизация суммарной длины разводки и числа пересечений в ней.

Конструктивно-технологические ограничения при разработке топологии ИМС на биполярных транзисторах. Важней-

шей технологической характеристикой, определяющей горизон-

может быть уверенно сформирован при заданном уровне технологии, например, минимальная ширина окна в окисле кремния, минимальная ширина проводника, минимальный зазор между проводниками, минимальное расстояние между краями эмиттерной и базовой областей и т.д. Пусть минимальный размер, который может обеспечить технология, равен d . Тогда зазор между областью, занимаемой транзистором, и другими элементами ИМС больше минимального размераd на величину боковой диффузии под окисел, которая при разделительной диффузии примерно равна толщине эпитаксиального слоя d э .

Правила проектирования топологии полупроводниковой ИМС. Разработка топологии ИМС – творческий процесс, и его результаты существенно зависят от индивидуальных способностей разработчика, его навыков и знаний. Сущность работы по

созданию топологии ИМС сводится к нахождению такого оптимального варианта взаимного расположения элементов схемы, при котором обеспечиваются высокие показатели эффективности производства и качества ИМС: низкий уровень бракованных изделий, низкая стоимость, материалоемкость, высокая надежность, соответствие получаемых электрических параметров заданным. К разработке топологии приступают после того, как количество, типы и геометрическая форма элементов ИМС определены.

Правила проектирования изолированных областей. Количество и размеры изолированных областей оказывают существенное влияние на характеристики ИМС, поэтому:

2) к изолирующим p -n -переходам всегда должно быть приложено напряжение обратного смещения, что практически осуществляется подсоединением подложкир- типа, или области разделительной диффузии р- типа, к точке схемы с наиболее отрицательным потенциалом. При этом суммарное обратное напряжение, приложенное к изолирующемур -n- переходу, не должно превышать напряжения пробоя;

3) диффузионные резисторы, формируемые на основе базового слоя, можно располагать в одной изолированной области, которая подключается к точке схемы с наибольшим положительным потенциалом. Обычно такой точкой является контактная площадка ИМС, на которую подается напряжение смещения от коллекторного источника питания;

4) резисторы на основе эмиттерного и коллекторного слоев следует располагать в отдельных изолированных областях;

5) транзисторы типа n -р -n , коллекторы которых подсоединены непосредственно к источнику питания, целесообразно размещать в одной изолированной области вместе с резисторами;

6) транзисторы типа n -р -n , которые включены по схеме с

общим коллектором, можно располагать в одной изолированной области;

7) все другие транзисторы, кроме упомянутых в п. 5 и 6, необходимо располагать в отдельных изолированных областях, т.е. все коллекторные области, имеющие различные потенциалы, должны быть изолированы;

9) количество изолированных областей для диодов может сильно изменяться в зависимости от типа диодов и способов их включения. Если в качестве диодов используются переходы ба- за-коллектор, то для каждого диода требуется отдельная изолированная область, так как каждый катод(коллекторная область n -типа) должен иметь отдельный вывод. Если в качестве диодов используются переходы эмиттер – база, то все диоды можно поместить в одной изолированной области. При этом все катоды диодов (эмиттерные области) сформированы отдельно в общем аноде. Аноды диодов с помощью соединительной металлизации закорачивают на изолированную (коллекторную) область;

10) для диффузионных конденсаторов требуются отдельные изолированные области. Исключение составляют случаи, когда один из выводов конденсатора является общим с другой изолированной областью;

11) для диффузионных перемычек всегда требуются - от дельные изолированные области.

Правила размещения элементов ИМС на площади кристалла. После определения количества изолированных областей приступают к их размещению в нужном порядке, размещению элементов, соединению элементов между собой и с контактными площадками, руководствуясь следующими правилами:

1) при размещении элементов ИМС и выполнении зазоров между ними необходимо строго выполнять ограничения, соответствующие типовому технологическому процессу;

2) резисторы, у которых нужно точно выдерживать отношение номиналов, должны иметь одинаковую ширину и конфигурацию и располагаться рядом друг с другом. Это относится и к другим элементам ИМС, у которых требуется обеспечить точное соотношение их характеристик;

3) резисторы с большой мощностью не следует располагать вблизи активных элементов;

4) диффузионные резисторы можно пересекать проводящей дорожкой поверх слоя окисла кремния, покрывающего резистор;

5) форма и место расположения конденсаторов не являются критичными;

7) для улучшения развязки между изолированными областями контакт к подложке следует располагать рядом с мощным транзистором или как можно ближе ко входу или выходу схемы;

8) число внешних выводов в схеме, а также порядок расположения и обозначения контактных площадок выводов ИМС на кристалле должны соответствовать выводам корпуса;

9) коммутация в ИМС должна иметь минимальное количество пересечений и минимальную длину проводящих дорожек. Если полностью избежать пересечений не удается, их можно осуществить, используя обкладки конденсаторов, формируя дополнительные контакты к коллекторным областям транзисторов, применяя диффузионные перемычки,инаконец, создавая дополнительный слой изоляции между пересекающимися проводниками;

10) первую контактную площадку располагают в нижнем левом углу кристалла и отличают от остальных по ее положению относительно фигур совмещения или заранее оговоренных элементов топологии.

Нумерацию остальных контактных площадок проводят против часовой стрелки. Контактные площадки располагают в зависимости от типа выбранного корпуса по периметру кристалла или по двум противоположным его сторонам;

11) фигуры совмещения располагают одной-двумя группа-

ми на любом свободном месте кристалла; 12) при разработке аналоговых ИМС элементы входных

дифференциальных каскадов должны иметь одинаковую топологию и быть одинаково ориентированными в плоскости кристалла; для уменьшения тепловой связи входные и выходные каскады должны быть максимально удалены; для уменьшения высокочастотной связи через подложку контакт к ней следует осуществлять в двух точках – вблизи входных и выходных каскадов.

Рекомендации по разработке эскиза топологии. Для обеспечения разработки эскиза топологии рекомендуется с самого начала вычертить принципиальную электрическую схему так, чтобы ее выводы были расположены в необходимой последовательности. Каждая линия, пересекающая резистор на принципиальной электрической схеме, будет соответствовать металлизированной дорожке, пересекающей диффузионный резистор по окислу на топологической схеме.

На этапе эскизного проектирования топологии необходимо предусмотреть решение следующих задач: расположить как можно большее число резисторов в одной изолированной области; подать наибольший потенциал на изолированную область, где размещены резисторы; подать наиболее отрицательный потенциал на подложку вблизи мощного транзистора выходного каскада; рассредоточить элементы, на которых рассеиваются большие мощности; расположить элементы с наименьшими размерами и с наименьшими запасами на совмещение в центре эскиза топологии; сократить число изолированных областей и уменьшить периметр каждой изолированной области.

В случае, если принципиальная электрическая схема содержит обособленные группы или периодически повторяющиеся группы элементов, объединенных в одно целое с точки зрения выполняемых ими функций, разработку рекомендуется начинать с составления эскизов топологии для отдельных групп элементов, затем объединить эти эскизы в один, соответствующий всей схеме.

На основе эскиза разрабатывают предварительный вариант топологии, который вычерчивают на миллиметровой бумаге в выбранном масштабе, обычно 100:1 или 200:1 (выбирают мас-

штабы, кратные 100). Топологию проектируют в прямоугольной системе координат. Каждый элемент топологии представляет собой замкнутую фигуру со сторонами, состоящими из отрезков прямых линий, параллельных осям координат. Придание элементам форм в виде отрезков прямых линий, непараллельных осям координат, допустимо только в тех случаях, когда это приводит к значительному упрощению формы элемента. Например, если форма элемента состоит из ломаных прямых, составленных в виде «ступенек» с мелким шагом, рекомендуется заменить их одной прямой линией. Координаты всех точек, расположенных в вершинах углов ломаных линий, должны быть кратны шагу координатной сетки.

В процессе вычерчивания топологии для получения оптимальной компоновки возможно изменение геометрии пассивных элементов, например пропорциональное увеличение длины и ширины резисторов или их многократный изгиб, позволяющие провести над резистором полоски металлической разводки или получить более плотную упаковку элементов. При изменении формы пассивных элементов в процессе их размещения проводят корректировочные расчеты.

При проектировании слоя металлизации размеры контактных площадок и проводников следует брать минимально допустимыми, а расстояния между ними – максимально возможными.

После выбора расположения элементов и контактных площадок, создания рисунка разводки необходимо разместить на топологии фигуры совмещения, тестовые элементы (транзисторы, резисторы и т.д. – приборы, предназначенные для замера электрических параметров отдельных элементов схемы), реперные знаки. Фигуры совмещения могут иметь любую форму (чаще всего квадрат или крест), причем надо учесть, что на каждом фотошаблоне, кроме первого и последнего, имеются две фигуры, расположенные рядом друг с другом. Меньшая фигура предназначена для совмещения с предыдущей технологической операцией, а большая – с последующей. На первом фотошаблоне расположена только большая фигура, а на последнем – только меньшая.

При разработке топологии важно получить минимальную площадь кристалла ИМС. Это позволяет увеличить производительность, снизить материалоемкость и повысить выход годных

ИМС, поскольку на одной полупроводниковой пластине можно разместить большее число кристаллов и уменьшить вероятность попадания дефектов, приходящихся на кристалл. При размерах стороны кристалла до 1 мм ее величину выбирают кратной 0,05 мм, а при размерах стороны кристалла 1…2 мм – кратной 0,1 мм.

Для любой принципиальной электрической схемы можно получить много приемлемых предварительных вариантов топологии, удовлетворяющих электрическим, технологическим и конструктивным требованиям. Любой предварительный вариант подлежит дальнейшей доработке.

Если после уплотненного размещения всех элементов на кристалле выбранного размера осталась незанятая площадь, рекомендуется перейти на меньший размер кристалла. Если этот переход невозможен, то незанятую площадь кристалла можно использовать для внесения в топологию изменений, направленных на снижение требований к технологии изготовления полупроводниковой ИМС. Например, можно увеличить размеры контактных площадок и расстояния между контактными площадками, ширину проводников и расстояние между ними, по возможности выпрямить элементы разводки, резисторы, границы изолированных областей. Пример общего вида топологии приведен на рис. 5.25.

Проверка правильности разработки топологии ИМС. По-

следний из составленных и удовлетворяющий всем требованиям вариант топологии подвергают проверке в такой последовательности. Проверяют соответствие технологическим ограничениям: минимальных расстояний между элементами, принадлежащими одному и разным слоям ИМС; минимальных размеров элементов, принятых в данной технологии, и других технологических ограничений; наличия фигур совмещения для всех слоев ИМС; размеров контактных площадок для присоединения гибких выводов; расчетных размеров элементов их размерам на чертеже топологии; мощности рассеяния резисторов, максимально допустимой удельной мощности рассеяния, а также обеспечение возможности контроля характеристик элементов ИМС.

						Таблица 1
	Элементы структуры				Используемый материал		Поверхност-
							ное сопротив
	Наименование				Наименование
	Подложка
	Эпитаксиальный
					Трехбромный бор
	Разделительная
	Базовая область				Трехбромный бор
	Эмиттерная				Треххлористый
					фосфор ОС 449-4
	Металлизация				Алюминий А99
	Скрытый слой				Трехокись сурьмы
	Изолирующая				SiO2
	Пассивирующая				SiO2
	пленка не показ.

1.Все размеры на чертеже даны в мкм

2. Характеристики и данные по изготовлению отдельных слоев приведены в таблице 1

3. Нумерация контактных площадок и обозначения элементов показаны условно

4. Элементы в слоях выполнять по таблицам координат, приведенным на соответствующих листах чертежа

Кристалл

6 КЭФ 4,5 / 3, 5 КЭС 15 60 200КДБ 10(100)

Рис. 5.25 – Общий вид топологии ИМС на биполярных транзисторах