Э.П. Гаврилов, доктор юридических наук.

Е.А. Данилина, кандидат юридических наук.

Основы правовой охраны

Начиная со второй половины XX в., во всем мире бурно развивается микроэлектроника. В различных приборах, машинах и механизмах широко используются интегральные микросхемы (далее - ИМС) - микроэлектронные изделия, включающие электронные схемы, которые состоят из отдельных элементов, находящихся в определенных связях друг с другом. Интегральные микросхемы именуются также "чипы". ИМС (чип) - это материальный объект, воплощающий определенные технические решения.

Технические решения, воплощенные в ИМС, заключаются в большом числе электрических (электронных) схем, соединяющих отдельные элементы сложными связями, которые идут как по горизонтали, так и по вертикали. В результате работы автора появляется объемная электронная схема, геометрический рисунок которой именуется "топология интегральной микросхемы" (далее - "топология"). Топология ИМС по сути - воплощение электронной схемы на микроуровне в кристаллических структурах.

Следует отметить, что слово "топология" означает науку, изучающую свойства фигур, не изменяющиеся при любых деформациях, производимых без разрывов и склеиваний. Создание новой топологии является творческим процессом, а сама топология - результатом технического творчества, аналогичным изобретениям или полезным моделям.

Некоторые особенности топологий (например, трудности, возникающие при выражении сущности топологии в виде формулы изобретения), а также некоторые фактические обстоятельства (явное лидерство США и Японии) обусловили тот факт, что топологии во многих странах мира были "выведены" из сферы патентной охраны. В результате возникла особая правовая система их охраны, не вписывающаяся ни в патентную, ни в авторско-правовую охрану. В России эта особая система выражена в Законе Российской Федерации от 23 сентября 1992 г. N 3526-1 "О правовой охране топологий интегральных микросхем" (далее - Закон). Изменения в него были внесены Федеральным законом Российской Федерации "О внесении изменений и дополнений в Закон РФ "О правовой охране топологий интегральных микросхем" от 9 июля 2002 г. N 82-ФЗ <*>.

<*> Патенты и лицензии. 2002. N 8. С. 49.

Исключительное право и срок его действия

Охрана топологий возникает автоматически с момента их создания, то есть выражения топологии в какой-либо объективной форме (чертеж, память ЭВМ, компакт-диск, образец чипа). Для возникновения охраны не требуется соблюдения каких-либо формальностей, хотя они предусмотрены Законом.

Среди таких формальностей следует прежде всего упомянуть проставление знака охраны топологии, состоящего из буквы "Т", даты первого использования топологии и имени (наименования) владельца прав (п. 8 ст. 9 Закона), а также факультативную государственную регистрацию топологии (п. 1 - 7 ст. 9 Закона). При этом согласно п. 1 ст. 9 Закона топологии, содержащие сведения, составляющие государственную или иную охраняемую законом тайну, официальной регистрации не подлежат.

Топология охраняется на основе принципа оригинальности. Фактически это означает, что правовой охраной пользуется любая самостоятельно созданная топология. Более того, правовую охрану получает и топология, созданная автором с использованием элементов из других (чужих) топологий. В этом случае оригинальным должно быть сочетание различных элементов, предложенное автором (п. 1 - 3 ст. 3 Закона).

"Оригинальной является топология, созданная в результате творческой деятельности автора и являющаяся неизвестной следующим лицам: автору и (или) специалистам в области разработки топологий на дату ее создания" (п. 2 ст. 3 Закона). Таким образом, для оценки оригинальности топологий учитывают не только объективную, но и субъективную новизну (неизвестность самому автору). Особенность норм п. 1 - 3 ст. 3 - наличие фигуры "специалиста", что позволяет сделать вывод о схожести подходов к топологиям и к патентуемым объектам (сравните с формулировкой изобретательского уровня из п. 1 ст. 4 Патентного закона: "Изобретение имеет изобретательский уровень, если оно для специалиста явным образом не следует из уровня техники").

Право возникает не только на топологию в целом, но и на отдельные ее части, если они оригинальны. Первоначально право на топологию всегда возникает у физического лица, ее создавшего, то есть у автора. При наличии двух или более авторов они совместно пользуются правами на топологию.

Если автор разработал топологию в связи с выполнением им служебных обязанностей или по заданию работодателя, то право на нее принадлежит работодателю, за исключением случаев, когда договором между автором и работодателем предусмотрено иное. Автору "служебной" топологии, право на которую принадлежит работодателю, должно выплачиваться определенное вознаграждение на основе договора, заключенного им с работодателем. При этом порядок выплаты вознаграждения и его размер устанавливаются договором между автором и обладателем исключительных прав на топологию. В.И. Еременко и Л.И. Подшибихин <*> отмечают, что эту норму "не стоит трактовать как накладывающую на работодателя обязанность заключать такой договор".

<*> Еременко В.И., Подшибихин Л.И. Комментарий к Закону РФ "О правовой охране топологий интегральных микросхем" / В кн.: Комментарий к законодательству об охране интеллектуальной собственности / Под общ. ред. В.И. Еременко. М.: Фонд "Правовая культура", 1997. С. 224.

Право на топологию может быть уступлено его владельцем любому лицу или быть объектом лицензионного договора. В соответствии с п. 5 ст. 9 Закона договоры о передаче исключительных прав на зарегистрированную топологию подлежат регистрации в Роспатенте, а другие договоры о передаче прав на охраняемую топологию могут быть зарегистрированы в Роспатенте.

Из ведомственных нормативных актов Роспатента неясно, где регистрируются и где публикуются сведения о регистрации договоров и передаче прав на незарегистрированную топологию. (Впрочем, аналогичный вопрос остается невыясненным и в отношении незарегистрированных компьютерных программ и баз данных <*>).

<*> См.: П. 5 ст. 13 Закона Российской Федерации "О правовой охране программ для электронных вычислительных машин и баз данных" // Патенты и лицензии. 2003. N 3. С. 64.

Объем исключительных прав на топологию определен в п. 3 ст. 5 Закона. Никто не вправе без разрешения правообладателя воспроизводить охраняемую топологию или ее любую оригинальную часть, распространять путем продажи или иным путем, а также ввозить на территорию России экземпляры материальных носителей охраняемой топологии. Использование топологии, хотя и идентичной той, которая получает правовую охрану, но созданной независимо, в результате параллельного творчества, не является нарушением исключительных прав (п. 2 ст. 8 Закона). Исключительные права распространяются только на случаи использования, которые осуществляются в целях получения прибыли (четвертый абзац п. 1 ст. 1 Закона).

Если экземпляр ИМС с охраняемой топологией был введен в гражданский оборот законным путем, то в дальнейшем он участвует в гражданском обороте свободно (принцип "исчерпания прав").

Незаконное использование охраняемой топологии без согласия правообладателя влечет обязанность возмещения убытков. При этом лицо, которое не знало и не должно было знать, что оно использует ИМС с незаконно воспроизведенной охраняемой топологией, убытки не возмещает. Данное правило соответствует принципу: ответственность возникает при наличии вины (четвертый абзац п. 1 ст. 11 Закона; ст. 1064 ГК РФ). Из этого можно сделать вывод, что виновный нарушитель обязан прекратить правонарушение и возместить причиненные убытки. Закон содержит особые нормы, касающиеся случая, когда охраняемую топологию незаконно использует невиновный нарушитель. Тогда, получив уведомление правообладателя о незаконности своих действий, нарушитель вправе продолжить использование топологии, но с выплатой правообладателю денежной компенсации (второй абзац п. 1 ст. 8 Закона).

Срок действия исключительного права на топологию ИМС составляет 10 лет, исчисляемых с даты:

первого открытого использования топологии в России или за рубежом, подтвержденного документально;

государственной регистрации топологии в патентном ведомстве, если она не использовалась ранее открыто.

Очевидно, что учитывается срок, истекающий первым. Однако, если в результате независимых друг от друга, параллельных разработок охрану получают две или более идентичных топологий, то срок охраны их всех истекает после истечения срока охраны любой из них (ст. 10 Закона).

Дискуссии о правовой охране топологий

Выше упоминалось, что к топологиям ИМС применяется право особого рода, не являющееся ни патентным, ни авторским. Тем не менее до сих пор не прекращаются попытки применения к ним норм патентного права или авторско-правовой охраны. Специалисты отмечают, что правовая охрана топологий сравнима с правовой охраной как изобретений, так и программ для ЭВМ <*>.

<*> Еременко В.И. Новая редакция Закона о правовой охране топологий интегральных микросхем // Изобретательство. 2003. N 5. С. 4.

Интересна дискуссия, проходившая в 2002 - 2004 гг. во время всероссийских научно-практических конференций "Правовая охрана интеллектуальной собственности в современных технологиях". Предложения по расширению правовой охраны и распространению ее на такие подготовительные материалы, как логическое и схемотехническое описание, внес выступавший на конференции М.В. Басс <*>. Он также поднял проблемы реверсного дизайна(или "обратного проектирования"), при котором путем стачивания слоев микросхемы получают информацию о топологии и затем ее воспроизводят. Во время дискуссий М.В. Басс привел в качестве примера подход судов США к определению нарушения: реверсный дизайн нелегитимен, если более поздняя топология создана без материальных затрат, то есть явно с использованием более ранней топологии.

<*> Басс М.В. Проблемы правовой охраны новых результатов творческой деятельности разработчиков в области микроэлектроники: Тезисы 4-й всероссийской научно-практической конференции "Правовая охрана интеллектуальной собственности в современных технологиях". Зеленоград. 7 июня 2004 г. С. 11.

На конференции 2002 г., в соавторстве с А.А. Энгельгардтом, М.В. Басс <*> предлагал защищать кроме "жестких ядер" (топологий ИМС) еще и "мягкие", и "фиксированные ядра" (описание на языке высокого уровня и электрическое описание соответственно) с помощью правового режима ноу-хау. Такой правовой режим позволит защитить алгоритм и блок-схемы, лежащие в основе топологии, "посредством ограничения доступа к ней". Из этого можно сделать вывод, что, как и в правовой охране программ для ЭВМ, в правовой охране топологий ИМС есть тенденция к расширению числа объектов охраны и попытки правовой защиты идей, лежащих в их основе. При этом предложения о применении правовой охраны нормами исключительного права для различных подготовительных и сопутствующих объектов (в приложении к топологиям - логического и схемотехнического описания, в приложении к компьютерным программам - алгоритмов и подготовительных материалов) могут обусловливаться неполным представлением о комплексе существующих возможностей правовой охраны объекта в целом и его частей.

<*> Басс М.В., Энгельгардт А.А. Система-на-кристалле: вопросы защиты интеллектуальной собственности: Тезисы 2-й всероссийской научно-практической конференции "правовая охрана интеллектуальной собственности в современных технологиях". Зеленоград. 3 июня 2002 г. С. 8.

Так, А.В. Трофименко, в частности, полагает, что "охрана объекта по нормам авторского права еще не доказывает отсутствия необходимости охраны того же объекта по нормам патентного права, что хорошо видно на примере алгоритмов и программ для ЭВМ" <*>. Приведенное мнение иллюстрирует часто встречающийся на практике подход, при котором происходит смешение комплексного и составляющих объектов. Например , если программу для ЭВМ представить как комплекс объектов, то исходный текст охраняется по нормам авторского права; алгоритм может входить в качестве составной иллюстрирующей части в заявку на изобретение, касающееся работы устройства; блок-схема электрического взаимодействия элементов такого устройства может быть защищена как полезная модель, а дизайн заставок и обложки продаваемой программы и диска - как промышленный образец. Но все это будут разные объекты.

<*> Трофименко А.В. Нематериальные объекты в гражданских правоотношениях. Саратов: Саратовский государственный социально-экономический университет, 2004.

Часто в отношении охраны топологий, как и в отношении программ для ЭВМ, поднимается вопрос о правовой охране подготовительных материалов и алгоритмов <*>. В случае топологий ИМС предлагается охранять логическое и схемотехническое описания. При этом внимание не акцентируется на том, что логическое описание достаточно хорошо защищается патентом на изобретение, а схемотехническое описание может быть предметом полезной модели; то есть и то, и другое удовлетворительно защищено современным патентным правом. Наш вывод согласуется с информацией о топологиях ИМС, приведенной на сайте Роспатента: "Все остальные элементы технологического процесса изготовления интегральных микросхем могут обеспечиваться правовой охраной другими способами, а объектом правовой охраны является лишь сама топологическая схема, как взаимное расположение элементов полупроводниковой микросхемы".

<*> Данилина Е.А., Карпова А.В. Программы для ЭВМ: проблемы терминологии и охраны // Патенты и лицензии. 2002. N 6.

Практика регистрации топологий

Регистрация топологий ИМС осуществляется в соответствии с Правилами составления, подачи и рассмотрения заявки на официальную регистрацию топологии интегральной микросхемы <*> (далее - Правила), согласно п. 7 которых заявка должна содержать:

<*> Патенты и лицензии. 2003. N 5. С. 69.

заявление на официальную регистрацию топологии ИМС с указанием правообладателя, а также автора, если он не отказался быть указанным в качестве такового, их местонахождения (местожительства), даты первого использования топологии в целях получения прибыли, если оно имело место;

депонируемые материалы, идентифицирующие топологию, включая реферат;

документ, подтверждающий уплату регистрационного сбора в установленном размере или основания для освобождения от уплаты регистрационного сбора, а также для уменьшения его размера.

Следует отметить, что Федеральным законом от 2 ноября 2004 г. N 127-ФЗ "О внесении изменений в части первую и вторую Налогового кодекса Российской Федерации и некоторые другие законодательные акты Российской Федерации, а также о признании утратившими силу отдельных законодательных актов (положений законодательных актов) Российской Федерации", принятым Государственной Думой 20 октября 2004 г., регистрационные сборы были преобразованы в государственную пошлину. Ст. 333.30 этого Закона устанавливает размеры государственной пошлины за совершение... действий по официальной регистрации... топологии интегральной микросхемы. При обращении в уполномоченный федеральный орган исполнительной власти за совершением действий по официальной регистрации программы для электронных вычислительных машин, базы данных и топологии интегральной микросхемы государственная пошлина уплачивается в установленных размерах <*>.

<*> См.: Патенты и лицензии. 2004. N 12. С. 65.

Согласно п. 16 Правил "в целях идентификации топологии депонируемые материалы заявки на регистрацию должны содержать:

полный комплект одного из следующих видов визуально воспринимаемых материалов, отображающих каждый слой топологии:

а) фотографии или копии (на бумажных носителях) фотошаблонов;

б) сборочный топологический чертеж с соответствующей спецификацией;

в) послойные топологические чертежи;

г) фотографии каждого слоя топологии, зафиксированной в ИМС;

реферат...".

В соответствии с п. 49 Правил, при положительном результате упомянутой в п. 45 проверки топология интегральной микросхемы вносится в Реестр топологий интегральных микросхем, правообладателю направляется уведомление об официальной регистрации и выдается свидетельство об официальной регистрации. Затем, в соответствии с п. 4 ст. 9 Закона, сведения об официальной регистрации топологии ИМС публикуются в бюллетене Роспатента.

Согласно подпункту "г" п. 16 Правил в аннотации, публикуемой в бюллетене Роспатента, раскрывается область применения, назначение или функции ИМС и вид применяемой для изготовления ИМС технологии. Обычно в аннотацию, помимо сведений о назначении, области применения и функциях микросхемы, включающей топологию, включены еще и основные технические характеристики (в некоторых случаях в виде таблицы), достаточно полно отражающие необходимые для идентификации топологии значения токов, напряжений, скорости сигналов, мощности.

В качестве примера аннотации приведем топологию, сведения об официальной регистрации которой опубликованы в бюллетене Роспатента N 2(47) от 20 июня 2004 г. под N 2004630008.

Название топологии - "Восьмиразрядный регистр, управляемый по фронту, с параллельным вводом-выводом данных, с инверсным выходом на три состояния", правообладатель - научно-исследовательское конструкторско-технологическое республиканское унитарное предприятие "Белмикросистемы".

Аннотация: "Интегральная микросхема (ИМС) относится к области логических микросхем коммерческого и специального применения в условиях воздействия ионизирующих излучений. ИМС могут использоваться в составе радиоэлектронной аппаратуры ядерных энергетических установок, космических аппаратов и т.п. ИМС изготавливается по КМОП технологии с применением эпитаксиальной структуры. Дата первого использования ИМС, включающей данную топологию в целях получения прибыли, 30 марта 2002 г. ИМС используется в серийном производстве. Основные технические характеристики образцов ИМС с этой топологией кристалла соответствуют стандарту, принятому для логических ИМС серий 54АСХХХ ведущих мировых производителей (ф. Раirchild, ф. Motorola). Основные характеристики ИМС: высокая скорость переключения (типовая задержка - 3 нс, тактовая частота - 150 МГц); выходные токи нагрузки + (плюс/минус) 24 мА при напряжении питания 4,5 В; диапазон работоспособности по напряжению источника питания от 2 до 6 В; диапазон температур от - 60 до +125 градусов Цельсия; согласование по входным напряжениям с КМОП-логикой; высокая устойчивость к воздействию статического электричества по модели человеческого тела > 2000 В; высокая устойчивость к эффекту защелкивания; стойкость к воздействию стационарного ионизирующего излучения по поглощенной дозе > 100 кРад".

Представляется, что при подозрении на нарушение топологии прежде всего принимают во внимание электротехнические параметры. Однако не совсем понятно, как именно можно ознакомиться с материалами заявки на топологию, ведь п. 32 Правил предусматривает возможность ознакомления с поданной заявкой только для заявителя или его представителя.

Число официальных регистраций топологий ИМС увеличивается с 2001 г. Так, в 2001 г. было зарегистрировано 6 топологий, в 2002 г. - 25, а в 2003 г. - 50 топологий. Всего с 1999 по 2003 г. было зарегистрировано 98 топологий. Таким образом, можно отметить положительную тенденцию регистрации топологий ИМС в России. Именно поэтому вопросы их правовой охраны вызывают все больший интерес у специалистов.

Сегодня поговорим о третьем нетрадиционном объекте интеллектуальной собственности - топологии интегральных микросхем. На первый взгляд может показаться, что объект очень сложный, и разобраться в нем может только человек, обладающий глубокими познаниями в области науки и техники, однако в действительности это не так. Постараемся понятно объяснить, в чем сущность этого объекта, и почему он не отнесен к патентному праву.

Понятие и общая характеристика, примеры

Рассматриваемый объект будет относиться к сфере микроэлектроники. В статье 1448 Гражданского кодекса РФ дается определение как интегральной микросхемы, так и ее топологии. Перефразируем, чтобы было понятно.

Интегральная микросхема - это определенное электронное изделие, все элементы в котором соединены и выполняют общую функцию.

Топология интегральных микросхем - это расположение различных элементов на этой микросхеме и связи между ними. Закон говорит о «пространственно-герметическом» расположении этих элементов. Элементы здесь - это блоки, триггеры, формирователи, адресные стеки и все остальное, что мы видим на поверхности любой микросхемы.

Таким образом, закон охраняет не саму микросхему как электронное устройство, а ее топологию - т. е. расположение элементов на поверхности. Скорее всего, это и обусловило природу топологии интегральной микросхемы как нетрадиционного объекта, а не объекта патентного права: система расположения составных частей микросхемы не оказывает существенного влияния на научно-технический прогресс, как это происходит, к примеру, с изобретениями и полезными моделями.

В силу той же статьи 1448 ГК РФ не требуется, чтобы сами элементы были новыми, достаточно, чтобы сами связи между ними являлись оригинальными.

Проанализируем пример из реестра ФИПС - топологию интегральной микросхемы №2017630100, которая называется «Радиочастотная микросхема для водительского удостоверения и свидетельства о регистрации транспортного средства». В описании (реферате) к этому объекту обозначены особенности самой микросхемы, заложенные в ней алгоритмы и технологии - видно, что именно это и было целью творческой деятельности автора. Однако законом охраняться все равно будет пространственное расположение на этой микросхеме ее элементов, а не заложенные в ней технические идеи.

Личные неимущественные права

У топологии есть автор - лицо, которое создало объект своим интеллектуальным трудом. У автора возникает на топологию только право авторства - юридическая возможность считаться автором и одновременно гарантия взыскивать компенсацию морального вреда с лиц, которые могут попытаться присвоить авторство себе. Других личных неимущественных прав в законе не предусмотрено.

Исключительное право

Как обычно, первоначально оно возникает у автора, но на практике правообладателем чаще всего бывает организация. В целом исключительное право на топологии не обладает какими-то отличительными чертами. Закон упоминает следующие действия в рамках использования этого объекта:

Воспроизведение топологии, например, на самой микросхеме. При этом закон разрешает воспроизводить лишь ту часть топологии, которая оригинальная.
Ввоз на территорию России, а также вывоз с нее;
Введение в гражданский оборот как самой топологии, так и микросхемы или другого изделия, где она воспроизведена. Чаще всего основанием будет какая-то сделка, например, купля-продажа.

Закон также упоминает ситуацию, когда другой гражданин придумал топологию, уже созданную кем-то ранее. В таком случае за этим автором будет признаваться исключительное право независимо от лиц, ранее создавших такую же топологию.

Кроме того, в законе закреплены случаи, когда допускается использовать объект без согласия правообладателя. В частности, это:

Использование в личных целях, а также в рамках исследования, анализа.
Распространение микросхем, на которых воспроизведена топология, если они были законно введены в гражданский оборот. Например, если состоялась покупка этой микросхемы.

Срок действия исключительного права на топологию - 10 лет без возможности его продления. При этом закон предусматривает два возможных момента, с которых может начать течь этот срок: в первом случае таковым является момент первого использования этого объекта; во втором случае - это государственная регистрация, произведенная по желанию правообладателя. Решающим будет дата: у какого события она более ранняя - с этого момента и будет течь срок действия исключительного права.

Еще раз вернемся к ситуации, когда два разных человека создали идентичные топологии. Срок в этом случае будет течь с момента использования первой из них, и второму автору придется уже «подстраиваться» под этот срок.

Государственная регистрация

Еще раз обратим внимание, что она не является обязательной. Если обратиться к статистике, то за 2016 год было зарегистрировано всего 174 топологии интегральных микросхем (из 186 заявок). Это немного, сравнивая, например, с количеством зарегистрированных селекционных достижений (их за тот же период было зарегистрировано более 500). Кратко пробежимся по особенностям регистрации.

Зарегистрировать топологию можно в течение срока ее охраны, но если объект уже используется, то подать заявку на регистрацию можно в течение двух лет. Регистрирующим органом является Роспатент, а именно - его подведомственное учреждение, ФИПС.

Заявка подается только на одну топологию. В ней обязательно должно быть:

Заявление;
Материалы, которые идентифицируют топологию (схемы, чертежи), а также реферат, который отражается в свидетельстве на регистрацию. Пример реферата для любой топологии легко найти, если ознакомиться с реестром (о том, как работать с реестром ФИПС - см. эту статью).

Более подробно процедуру можно посмотреть в Приказе Минэкономразвития России от 30.09.2015 N 700.

Таким образом, топология интегральной микросхемы - это важнейший объект интеллектуальной собственности в сфере микроэлектроники. Когда создается топология, автор ищет определенное решение именно касательно работы микросхемы, однако охраняться законом будет не содержание этого решения, а только форма - расположение элементов микросхемы.

Затем пластину переворачивают, шлифуют и полируют со стороны монокристаллического кремния почти до пленкиSiO2 . Оставшийся перед пленкойSiO2 слой монокристаллического кремния снимают в полирующем травителе. В результате получается подложка с изолированными областями(карманами) монокристаллического кремния. В каждом из карманов обычными приемами планарной технологии формируют необходимые структуры активных и пассивных элементов ИМС. Таким образом, изоляция элементов ИМС осуществляется тонкой пленкой SiO2 . Слой поликристаллического кремния, в котором утоплены области монокристаллического кремния, играет роль несущей подложки.

Изоляция элементов ИМС воздушными промежутками.

Принципиальное отличие изоляции воздушными промежутками от изоляции тонкой пленкой диэлектрика заключается в наличии непроводящей подложки. Этим отличием обусловлены качественно новые характеристики ИМС.

К методам изоляции элементов ИМС воздушными промежутками относятся: декаль-метод, метод балочных выводов, метод «кремний на сапфире» (КНС) и др.

Комбинированный способ изоляции.

Стремление к использованию преимуществ, которыми обладают методы изоляции с помощью обратно смещенногоp -n - перехода и диэлектрической изоляции в единой структуре, привело к созданию комбинированного способа изоляции. При комбинированном способе изоляция элементов с боковых сторон осуществляется диэлектриком, а со стороны дна– обратно смещенным p -n -переходом. Способы комбинированной изоляции, (изопланар, эпипланар, полипланар и др.) наиболее перспективны для получения высокой плотности размещения элементов и улучшения электрических параметров ИМС.

5.8 Разработка топологии полупроводниковых ИМС

Основой для разработки топологии полупроводниковой ИМС являются электрическая схема, требования к электрическим параметрам и к параметрам активных и пассивных элемен-

тов, конструктивно-технологические требования и ограничения. Разработка чертежа топологии включает в себя такие этапы:

выбор конструкции и расчет активных и пассивных элементов ИМС; размещение элементов на поверхности и в объеме подложки и создание рисунка разводки(коммутации) между элементами; разработку предварительного варианта топологии; оценку качества топологии и ее оптимизацию; разработку окончательного варианта топологии. Целью работы конструктора при разработке топологии является минимизация площади кристалла ИМС, минимизация суммарной длины разводки и числа пересечений в ней.

Конструктивно-технологические ограничения при разработке топологии ИМС на биполярных транзисторах. Важней-

шей технологической характеристикой, определяющей горизон-

может быть уверенно сформирован при заданном уровне технологии, например, минимальная ширина окна в окисле кремния, минимальная ширина проводника, минимальный зазор между проводниками, минимальное расстояние между краями эмиттерной и базовой областей и т.д. Пусть минимальный размер, который может обеспечить технология, равен d . Тогда зазор между областью, занимаемой транзистором, и другими элементами ИМС больше минимального размераd на величину боковой диффузии под окисел, которая при разделительной диффузии примерно равна толщине эпитаксиального слоя d э .

Правила проектирования топологии полупроводниковой ИМС. Разработка топологии ИМС – творческий процесс, и его результаты существенно зависят от индивидуальных способностей разработчика, его навыков и знаний. Сущность работы по

созданию топологии ИМС сводится к нахождению такого оптимального варианта взаимного расположения элементов схемы, при котором обеспечиваются высокие показатели эффективности производства и качества ИМС: низкий уровень бракованных изделий, низкая стоимость, материалоемкость, высокая надежность, соответствие получаемых электрических параметров заданным. К разработке топологии приступают после того, как количество, типы и геометрическая форма элементов ИМС определены.

Правила проектирования изолированных областей. Количество и размеры изолированных областей оказывают существенное влияние на характеристики ИМС, поэтому:

2) к изолирующим p -n -переходам всегда должно быть приложено напряжение обратного смещения, что практически осуществляется подсоединением подложкир- типа, или области разделительной диффузии р- типа, к точке схемы с наиболее отрицательным потенциалом. При этом суммарное обратное напряжение, приложенное к изолирующемур -n- переходу, не должно превышать напряжения пробоя;

3) диффузионные резисторы, формируемые на основе базового слоя, можно располагать в одной изолированной области, которая подключается к точке схемы с наибольшим положительным потенциалом. Обычно такой точкой является контактная площадка ИМС, на которую подается напряжение смещения от коллекторного источника питания;

4) резисторы на основе эмиттерного и коллекторного слоев следует располагать в отдельных изолированных областях;

5) транзисторы типа n -р -n , коллекторы которых подсоединены непосредственно к источнику питания, целесообразно размещать в одной изолированной области вместе с резисторами;

6) транзисторы типа n -р -n , которые включены по схеме с

общим коллектором, можно располагать в одной изолированной области;

7) все другие транзисторы, кроме упомянутых в п. 5 и 6, необходимо располагать в отдельных изолированных областях, т.е. все коллекторные области, имеющие различные потенциалы, должны быть изолированы;

9) количество изолированных областей для диодов может сильно изменяться в зависимости от типа диодов и способов их включения. Если в качестве диодов используются переходы ба- за-коллектор, то для каждого диода требуется отдельная изолированная область, так как каждый катод(коллекторная область n -типа) должен иметь отдельный вывод. Если в качестве диодов используются переходы эмиттер – база, то все диоды можно поместить в одной изолированной области. При этом все катоды диодов (эмиттерные области) сформированы отдельно в общем аноде. Аноды диодов с помощью соединительной металлизации закорачивают на изолированную (коллекторную) область;

10) для диффузионных конденсаторов требуются отдельные изолированные области. Исключение составляют случаи, когда один из выводов конденсатора является общим с другой изолированной областью;

11) для диффузионных перемычек всегда требуются - от дельные изолированные области.

Правила размещения элементов ИМС на площади кристалла. После определения количества изолированных областей приступают к их размещению в нужном порядке, размещению элементов, соединению элементов между собой и с контактными площадками, руководствуясь следующими правилами:

1) при размещении элементов ИМС и выполнении зазоров между ними необходимо строго выполнять ограничения, соответствующие типовому технологическому процессу;

2) резисторы, у которых нужно точно выдерживать отношение номиналов, должны иметь одинаковую ширину и конфигурацию и располагаться рядом друг с другом. Это относится и к другим элементам ИМС, у которых требуется обеспечить точное соотношение их характеристик;

3) резисторы с большой мощностью не следует располагать вблизи активных элементов;

4) диффузионные резисторы можно пересекать проводящей дорожкой поверх слоя окисла кремния, покрывающего резистор;

5) форма и место расположения конденсаторов не являются критичными;

7) для улучшения развязки между изолированными областями контакт к подложке следует располагать рядом с мощным транзистором или как можно ближе ко входу или выходу схемы;

8) число внешних выводов в схеме, а также порядок расположения и обозначения контактных площадок выводов ИМС на кристалле должны соответствовать выводам корпуса;

9) коммутация в ИМС должна иметь минимальное количество пересечений и минимальную длину проводящих дорожек. Если полностью избежать пересечений не удается, их можно осуществить, используя обкладки конденсаторов, формируя дополнительные контакты к коллекторным областям транзисторов, применяя диффузионные перемычки,инаконец, создавая дополнительный слой изоляции между пересекающимися проводниками;

10) первую контактную площадку располагают в нижнем левом углу кристалла и отличают от остальных по ее положению относительно фигур совмещения или заранее оговоренных элементов топологии.

Нумерацию остальных контактных площадок проводят против часовой стрелки. Контактные площадки располагают в зависимости от типа выбранного корпуса по периметру кристалла или по двум противоположным его сторонам;

11) фигуры совмещения располагают одной-двумя группа-

ми на любом свободном месте кристалла; 12) при разработке аналоговых ИМС элементы входных

дифференциальных каскадов должны иметь одинаковую топологию и быть одинаково ориентированными в плоскости кристалла; для уменьшения тепловой связи входные и выходные каскады должны быть максимально удалены; для уменьшения высокочастотной связи через подложку контакт к ней следует осуществлять в двух точках – вблизи входных и выходных каскадов.

Рекомендации по разработке эскиза топологии. Для обеспечения разработки эскиза топологии рекомендуется с самого начала вычертить принципиальную электрическую схему так, чтобы ее выводы были расположены в необходимой последовательности. Каждая линия, пересекающая резистор на принципиальной электрической схеме, будет соответствовать металлизированной дорожке, пересекающей диффузионный резистор по окислу на топологической схеме.

На этапе эскизного проектирования топологии необходимо предусмотреть решение следующих задач: расположить как можно большее число резисторов в одной изолированной области; подать наибольший потенциал на изолированную область, где размещены резисторы; подать наиболее отрицательный потенциал на подложку вблизи мощного транзистора выходного каскада; рассредоточить элементы, на которых рассеиваются большие мощности; расположить элементы с наименьшими размерами и с наименьшими запасами на совмещение в центре эскиза топологии; сократить число изолированных областей и уменьшить периметр каждой изолированной области.

В случае, если принципиальная электрическая схема содержит обособленные группы или периодически повторяющиеся группы элементов, объединенных в одно целое с точки зрения выполняемых ими функций, разработку рекомендуется начинать с составления эскизов топологии для отдельных групп элементов, затем объединить эти эскизы в один, соответствующий всей схеме.

На основе эскиза разрабатывают предварительный вариант топологии, который вычерчивают на миллиметровой бумаге в выбранном масштабе, обычно 100:1 или 200:1 (выбирают мас-

штабы, кратные 100). Топологию проектируют в прямоугольной системе координат. Каждый элемент топологии представляет собой замкнутую фигуру со сторонами, состоящими из отрезков прямых линий, параллельных осям координат. Придание элементам форм в виде отрезков прямых линий, непараллельных осям координат, допустимо только в тех случаях, когда это приводит к значительному упрощению формы элемента. Например, если форма элемента состоит из ломаных прямых, составленных в виде «ступенек» с мелким шагом, рекомендуется заменить их одной прямой линией. Координаты всех точек, расположенных в вершинах углов ломаных линий, должны быть кратны шагу координатной сетки.

В процессе вычерчивания топологии для получения оптимальной компоновки возможно изменение геометрии пассивных элементов, например пропорциональное увеличение длины и ширины резисторов или их многократный изгиб, позволяющие провести над резистором полоски металлической разводки или получить более плотную упаковку элементов. При изменении формы пассивных элементов в процессе их размещения проводят корректировочные расчеты.

При проектировании слоя металлизации размеры контактных площадок и проводников следует брать минимально допустимыми, а расстояния между ними – максимально возможными.

После выбора расположения элементов и контактных площадок, создания рисунка разводки необходимо разместить на топологии фигуры совмещения, тестовые элементы (транзисторы, резисторы и т.д. – приборы, предназначенные для замера электрических параметров отдельных элементов схемы), реперные знаки. Фигуры совмещения могут иметь любую форму (чаще всего квадрат или крест), причем надо учесть, что на каждом фотошаблоне, кроме первого и последнего, имеются две фигуры, расположенные рядом друг с другом. Меньшая фигура предназначена для совмещения с предыдущей технологической операцией, а большая – с последующей. На первом фотошаблоне расположена только большая фигура, а на последнем – только меньшая.

При разработке топологии важно получить минимальную площадь кристалла ИМС. Это позволяет увеличить производительность, снизить материалоемкость и повысить выход годных

ИМС, поскольку на одной полупроводниковой пластине можно разместить большее число кристаллов и уменьшить вероятность попадания дефектов, приходящихся на кристалл. При размерах стороны кристалла до 1 мм ее величину выбирают кратной 0,05 мм, а при размерах стороны кристалла 1…2 мм – кратной 0,1 мм.

Для любой принципиальной электрической схемы можно получить много приемлемых предварительных вариантов топологии, удовлетворяющих электрическим, технологическим и конструктивным требованиям. Любой предварительный вариант подлежит дальнейшей доработке.

Если после уплотненного размещения всех элементов на кристалле выбранного размера осталась незанятая площадь, рекомендуется перейти на меньший размер кристалла. Если этот переход невозможен, то незанятую площадь кристалла можно использовать для внесения в топологию изменений, направленных на снижение требований к технологии изготовления полупроводниковой ИМС. Например, можно увеличить размеры контактных площадок и расстояния между контактными площадками, ширину проводников и расстояние между ними, по возможности выпрямить элементы разводки, резисторы, границы изолированных областей. Пример общего вида топологии приведен на рис. 5.25.

Проверка правильности разработки топологии ИМС. По-

следний из составленных и удовлетворяющий всем требованиям вариант топологии подвергают проверке в такой последовательности. Проверяют соответствие технологическим ограничениям: минимальных расстояний между элементами, принадлежащими одному и разным слоям ИМС; минимальных размеров элементов, принятых в данной технологии, и других технологических ограничений; наличия фигур совмещения для всех слоев ИМС; размеров контактных площадок для присоединения гибких выводов; расчетных размеров элементов их размерам на чертеже топологии; мощности рассеяния резисторов, максимально допустимой удельной мощности рассеяния, а также обеспечение возможности контроля характеристик элементов ИМС.

		Таблица 1

Элементы структуры	Используемый материал		Поверхност-
			ное сопротив
			ное сопротив
Наименование	Наименование
Наименование	Наименование


Подложка
Эпитаксиальный
	Трехбромный бор
Разделительная	Трехбромный бор

Базовая область	Трехбромный бор

Эмиттерная	Треххлористый
	фосфор ОС 449-4
Металлизация	Алюминий А99
Скрытый слой	Трехокись сурьмы
Изолирующая	SiO2

Пассивирующая	SiO2
пленка не показ.

1.Все размеры на чертеже даны в мкм

2. Характеристики и данные по изготовлению отдельных слоев приведены в таблице 1

3. Нумерация контактных площадок и обозначения элементов показаны условно

4. Элементы в слоях выполнять по таблицам координат, приведенным на соответствующих листах чертежа

Кристалл

6 КЭФ 4,5 / 3, 5 КЭС 15 60 200КДБ 10(100)

Рис. 5.25 – Общий вид топологии ИМС на биполярных транзисторах

Интегральные микросхемы представляют собой один из важнейших объектов интеллектуальной собственности, поскольку они имеют широчайшее распространение во всех современных устройствах как бытового, так и промышленного назначения.

Техническая эволюция интегральных микросхем прошла несколько этапов. Прообразом были радиоприемные устройства, для создания которых использовались принципиальные и монтажные схемы. Первые представляли собой графические изображения электрических соединений всех элементов электронных устройств с их спецификациями, а вторые - пространственное расположение указанных элементов - радиоламп, сопротивлений, конденсаторов, индуктивностей и т.д.

С появлением полупроводниковых транзисторов все детали электронных устройств стали монтировать на печатных платах, что позволило уменьшить размеры и энергопотребление устройств. Последующая миниатюризация электронных устройств привела к созданию микросхем, в которых все элементы создавались на одном полупроводниковом кристалле. Первая микросхема была разработана Д. Килби в 1958 г. и произведена в 1961 г. фирмами Fairchild Semiconductor Согр. и Texas Instruments.

Со временем микросхемы совершенствовались, повышалась степень их интеграции и надежность. В настоящее время микросхемы могут содержать миллионы элементов. Одним из важнейших видов интегральных микросхем общего назначения стали микропроцессоры, созданные фирмами Intel в 1971 г. и Motorola , что стало основой широчайшей компьютеризации всех сфер деятельности.

Интегральная микросхема - это изделие, в котором активные (транзисторы и диоды), пассивные (сопротивления, конденсаторы и индуктивности) и соединяющие их компоненты электронной схемы воплощены в объеме составного полупроводникового носителя 1 .

В настоящее время производство интегральных микросхем представляет собой одну из важнейших отраслей промышленного производства, обеспечивающую совершенствование и создание новой продукции и новых производств.

Как и в отношении иных научно-технических достижений, производители микросхем с самого начала столкнулись с проблемой копирования своих достижений конкурентами. Однако особенности микроэлектроники таковы, что копирование никогда не было простым. Иногда издержки на анализ и повторение оказываются выше, чем расходы на собственные исследования, разработки и производство.

Исключительная сложность современных интегральных микросхем обеспечивает их техническую защиту от копирования. Тем не менее западные фирмы, понимающие необходимость патентования для защиты своих научно-технических достижений на внутреннем и международном рынке, добивались правовой охраны микросхем. Первые формы охраны топологий (пространственных расположений элементов) интегральных микросхем осуществлялись авторским правом по аналогии со схемами, картами, чертежами. Впоследствии топологии интегральных микросхем стали охраняться специализированными законами, которые по принципам возникновения права относились к законодательству о промышленной собственности.

Интегральные микросхемы являются одним из важнейших объектов интеллектуальной собственности, поскольку они чрезвычайно широко используются практически в любых современных товарах - от товаров бытового назначения до автоматизированных систем, участков, устройств автоматизированного производства. Все современные транспортные средства как гражданского, так и военного назначения немыслимы без широкого использования интегральных микросхем.

Первые определения интегральных микросхем и их топологий были даны в Директиве Европейского Союза и в Договоре об интеллектуальной собственности в отношении интегральных микросхем. Схожие определения используются в законодательстве некоторых стран с переходной экономикой, однако они содержат неточности, связанные с недостаточным пониманием технического существа объекта охраны. Не претендуя на полноту, можно предложить следующее определение.

Топология интегральной микросхемы - это пространственное расположение всех компонентов интегральной микросхемы, воплощенной в полупроводниковом носителе 1 .

Объектом охраны являются топологии интегральных микросхем, которые реализуются в тех или иных изделиях. Несмотря на то что охрана предоставляется топологиям интегральных микросхем, знания топологии недостаточно для воссоздания изделия, в котором она используется. Необходимо знать характеристики всех активных и пассивных элементов микросхемы. Однако установить детальные характеристики и свойства миллионов активных и пассивных элементов крайне сложно. Для сверхбольших интегральных микросхем обратный инжиниринг оказывается чрезвычайно сложным и дорогим. Современные интегральные микросхемы надежно защищены технически, и их дополнительная правовая охрана не всегда необходима.

Законодательство об охране топологий интегральных микросхем признает два условия охраноспособности: творческий характер топологии, оригинальность топологии.

Несмотря на то что оба условия взаимосвязаны, между ними есть различия. Творческий характер труда авторов топологии признается, поскольку авторами топологии считаются физические лица, в результате творческой деятельности которых создана топология. С содержательной точки зрения невозможно отрицать творческий характер авторов топологии, так как, хотя электрические связи компонентов микросхемы предопределяются соответствующими принципиальными схемами, расположение этих компонентов и связи между ними реализуются благодаря творческой деятельности авторов топологии.

Второе условие охраноспособности - оригинальность топологии. В ст. 1448 ГК РФ установлено, что «топология интегральной микросхемы признается оригинальной, если не доказано обратное».

Следовательно, для интегральных микросхем условия охраноспособности топологий выполнены, если топология является результатом творческого труда и является новой, неизвестной иным разработчикам и производителям интегральных микросхем. Второе условие охраноспособности важно для третьих лиц, которые намерены оспорить предоставленные права на зарегистрированную топологию микросхемы.

Таким образом, топологии интегральных микросхем могут считаться объектами авторского права и охраняться соответствующим законодательством.

На основании заявки на регистрацию федеральный орган исполнительной власти по интеллектуальной собственности вносит топологию в Реестр топологий интегральных микросхем и выдает заявителю (правообладателю) свидетельство о государственной регистрации. Свидетельство на топологию удостоверяет авторство, приоритет топологии и право на использование. Срок охраны топологий интегральных микросхем составляет 10 лет (ст. 1457 ГК РФ).

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Введение

1.Понятие и признаки топологий интегральных микросхем

2.Субъекты права на топологию интегральных микросхем

3.Регистрация топологий интегральных микросхем и уведомление о правах

4.Права авторов топологий интегральных микросхем и иных правообладателей

5.Защита прав авторов топологий интегральных микросхем и иных правообладателей

Заключение

Список литературы

Введение

В современных условиях интегральные микросхемы (ИМС), являясь основой элементной базы современной вычислительной техники, играют решающую роль в развитии полупроводниковой технологии и электронной промышленности. Их создание - процесс трудоемкий, требующий от специалистов высокой квалификации, а также применения новейшей дорогостоящей технологии.

В то же время "пиратское" копирование ИМС позволяет значительно сократить временные и финансовые затраты, необходимые для разработки аналогичных схем. Это дает возможность недобросовестному конкуренту продать ИМС значительно дешевле, чем продает фирма-разработчик, из-за чего последняя несет значительные имущественные потери. В результате процесс разработки и изготовления ИМС становится экономически неэффективным. Это обстоятельство стало причиной поиска путей правовой охраны топологий ИМС в различных странах мира. Впервые она была введена в США (1984 г.) и в Японии (1985 г.). Начиная с 1986 г. в данном направлении активизировалась деятельность стран Западной Европы. В декабре 1986 г. страны - члены ЕЭС одобрили Директиву ЕЭС о правовой охране топологий полупроводниковых изделий. В рамках ВОИС 26 мая 1989 г. в Вашингтоне был подписан (но еще не вступил в силу) Договор об интеллектуальной собственности в отношении интегральных микросхем. В настоящее время законы о правовой охране топологий ИМС приняты во всех развитых странах мира.

В России разработка такого законодательства обусловлена потребностями национальной экономики и международной торговли. Как и в большинстве стран, российский Закон основан на концепции специальной правовой охраны (sui generis), поскольку иные законодательные средства (патентная охрана, авторско-правовая охрана, обязательственное право и др.) оказались непригодными для этой цели.

1. Понятие и признаки т опологий интегральных микросхем

Топология интегральной микросхемы, как особый объект правовой охраны представляет собой зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними. Материальным носителем топологии выступает кристалл интегральной микросхемы, т. е. Часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки. Поскольку разработка топологии требует значительных интеллектуальных усилий, больших затрат времени и использования дорогостоящего оборудования, результаты труда разработчиков нуждаются в признании и правовой охране. Это тем более необходимо, что практически любая топология может быть быстро и относительно дешево скопирована заинтересованными лицами. Как показал опыт развитых стран, наиболее действенной преградой для копирования кристаллов интегральных микросхем является создание специального правового института охраны топологий, не совпадающего ни с авторским, ни с патентным правом. С принятием Закона РФ «О правовой охране топологий интегральных микросхем» от 23 сентября 1992г. подобный правовой институт появился и в российском праве.

В соответствии со ст. 3 Закона правовая охрана, предоставляемая им, распространяется только на оригинальную топологию. Данное положение совпадает с подходом к охране топологий в других странах, уже принявших аналогичные законы, а также полностью согласуется с Вашингтонским договором об интеллектуальной собственности в отношении интегральных микросхем 1989г. По общему правилу, оригинальной является всякая топология, созданная в результате творческой деятельности автора. При этом топология признается оригинальной до тех пор, пока не доказано обратное. Одним из доказательств отсутствия оригинальности может служить, в частности, общеизвестность топологии разработчикам и изготовителям ИМС на дату ее создания. В случае спора оценка данного обстоятельства дается судом с учетом заключения экспертов. Последние, в свою очередь, должны ориентироваться на знания среднего специалиста и степень доступности материалов, содержащих информацию о спорной топологии. Однако топологии, состоящей из общеизвестных элементов, может предоставляться правовая охрана в тех случаях, когда совокупность (комбинация) этих элементов оригинальна, т. е. является результатом собственных интеллектуальных усилий ее творца.

Оригинальность -- основной и единственный юридически значимый признак, необходимый для предоставления топологии правовой охраны. Ни время создания топологии, ни выполнение формальностей по общему правилу не влияют на само признание топологии объектом охраны, хотя эти обстоятельства и играют известную роль в определении правового режима топологии. По прямому указанию Закона предоставляемая им охрана не распространяется на идеи, способы, системы, технологию или закодированную информацию, которые могут быть воплощены в топологии. Объектом охраны является лишь сама топологическая схема, т. е. взаимное расположение элементов полупроводниковой микросхемы. Что касается способов, относящихся к технологическому процессу изготовления интегральной микросхемы, конструкций кристаллов ИМС и других технических решений, то они при наличии установленных законом критериев могут стать объектами охраны патентного права.
В связи с тем, что до принятия Закона от 23 сентября 1992г. правовая охрана топологиям в России не предоставлялась, с введением такой охраны возник вопрос о правовом режиме тех топологий, которые были созданы до вступления Закона в силу. Эта проблема решается постановлением Верховного Совета РФ «О порядке введения в действие Закона РФ „О правовой охране топологий интегральных микросхем"» от 23 сентября 1992г. следующим образом. В соответствии с общим правилом положения нового Закона распространяются на отношения, связанные с топологиями интегральных микросхем, использование которых в коммерческих целях началось после введения в действие Закона от 23 сентября 1992 г. Напомним, что данный Закон вступил в действие со дня его опубликования, т. е. с 21 октября 1992 г. Таким образом, коммерческое использование топологий, осуществлявшееся до 21 октября 1992 г., однозначно не налагает на пользователей никаких правовых обязанностей. Дальнейшее коммерческое использование топологий также возможно, если оно началось до 21 октября 1992 г. Однако в отношении новейших топологий установлено особое правило, призванное в известной мере обеспечить права их создателей. Если такие топологии будут зарегистрированы в Российском агентстве по правовой охране программ для ЭВМ, баз данных и топологий интегральных микросхем в течение двух лет с даты их первого использования в коммерческих целях, то, хотя бы их использование в России началось до 21 октября 1992г., новый Закон будет применяться к правоотношениям, возникшим после введения его в действие. Иными словами, за использование таких топологий после вступления в действие Закона от 23 сентября 1992г. придется платить, а с момента регистрации топологии в Агентстве -- не только платить, но и спрашивать согласия правообладателя на ее использование.

2. Субъекты права на топологию

Субъектами прав на топологию ИМС являются авторы, их наследники, а также любые физические или юридические лица, которые обладают исключительными имущественными правами, полученными в силу закона или договора. Автором топологии признается лицо, в результате творческой деятельности которого эта топология была создана. В соответствии с Законом от 23 сентября 1992г. автором может быть лишь физическое лицо, непосредственными творческими усилиями которого она создана. Юридическое лицо прав авторства ни при каких обстоятельствах не приобретает и может выступать лишь обладателем прав на ее использование. Если топология создана совместно несколькими физическими лицами, каждое из этих лиц признается автором такой топологии. Непременным условием возникновения соавторства на топологию является внесение разработчиком личного творческого вклада в ее создание. Поэтому лица, оказавшие автору только техническую, организационную или материальную помощь либо способствовавшие оформлению права на использование топологии, на соавторство претендовать не могут. В случае возникновения спора относительно характера вклада лиц, принимавших участие в создании топологии, оценку ему должен дать суд, который может назначить соответствующую экспертизу.

Как и в отношении других объектов интеллектуальной собственности, на признание физического лица автором топологии не влияет ни его возраст, ни состояние дееспособности. Однако осуществление прав, принадлежащих малолетним и недееспособным авторам, возлагается на их родителей или опекунов. Авторские права на топологию признаются как за российскими гражданами, так и за иностранцами. Согласно ст. 13 Закона от 23 сентября 1992г. иностранные физические и юридические лица пользуются правами, предусмотренными настоящим Законом, наравне с физическими и юридическими лицами РФ в силу международных договоров или на основе принципа взаимности. В случае если топология создана в порядке выполнения служебных обязанностей или по заданию работодателя, что и имеет место в подавляющем большинстве случаев, субъектом права на топологию по общему правилу становится работодатель. Аналогичным образом решен в п. 3 ст. 7 Закона от 23 сентября 1992г. и вопрос относительно топологии, созданной автором по договору с заказчиком, не являющимся его работодателем. Однако это лишь общее правило, так как договором между автором и работодателем (заказчиком) может быть предусмотрено сохранение всех прав на топологию за ее создателем. Вопрос о том, какая работа должна считаться выполненной в рамках служебного задания, в отношении топологий решается точно так же, как и применительно к объектам, охраняемым авторским и патентным правом. В частности, учитываются такие факторы, как круг служебных обязанностей разработчика, определенных его должностной инструкцией, характер достигнутого творческого результата, использования работником оборудования и иных материальных ресурсов работодателя и т. п. Следует, однако, иметь в виду, что и в тех случаях, когда разработка была признана служебной, ее автором по российскому законодательству будет считаться непосредственный разработчик, а не его работодатель. За последним закрепляется лишь исключительное право на использование такой топологии, тогда как за непосредственным создателем -- право авторства и другие права, предусмотренные договором с работодателем и действующим законодательством.

После смерти автора субъектом прав на топологию становятся его наследники. Но к наследникам переходят не все права автора, а лишь те, которые носят имущественный характер. При этом исключительные права на использование топологии, срок действия которых ограничивается десятью годами, переходят к наследникам на период, оставшийся до истечения указанного срока. Личные неимущественные права создателя топологии по наследству не передаются, однако наследники могут выступать в их защиту в случае нарушений со стороны третьих лиц.

3 . Регистрация т опологий и уведомление о правах

Особенности, присущие топологиям как результатам интеллектуальной деятельности, выявили нецелесообразность распространения на них норм как авторского, так и патентного права. Наиболее убедительно это подтверждается тем, что применяемые в этих институтах правила, касающиеся оформления прав на достигнутые творческие результаты, являются недостаточно эффективными в отношении топологий. Так, авторским правом охраняются любые творческие произведения, выраженные в объективной форме независимо от выполнения автором каких либо формальностей. В принципе, подобный подход применим и в отношении охраны топологий, что и нашло отражение в Законе от 23 сентября 1992г. Однако при этом, ввиду специфики объекта охраны, возникают серьезные практические трудности, связанные с определением факта копирования топологий и оценкой его существенности.

Указанные трудности в значительной степени были бы преодолены при условии признания топологии объектом патентного права. Однако применение к топологиям традиционной процедуры патентования было бы неоправданным из-за сложности проведения экспертизы на новизну ввиду большого числа идентифицирующих признаков, длительности процедуры патентования, а также большой вероятности получения необъективного результата.

В итоге рассматриваемая проблема была решена в России таким же образом, как и в большинстве других стран, охраняющих топологии, а именно -- путем создания особой системы их регистрации. Особенностью российского законодательства является то, что регистрация топологий не является обязательным условием их правовой охраны. Согласно п. 1 ст. 9 Закона от 23 сентября 1992г. топология регистрируется по желанию автора или иного правообладателя. Сам факт регистрации топологии не носит того конститутивного характера, который имеет в патентном праве официальное признание патентоспособности разработки. Законом охраняются любые оригинальные топологии, независимо от того, зарегистрированы они или нет.

В этой связи следует признать не соответствующей Закону и, следовательно, не имеющей юридической силы норму, закрепленную п. 3 Правил составления, подачи и рассмотрения заявок на официальную регистрацию топологий интегральных микросхем, согласно которой «регистрация является обязательным условием правовой охраны топологии, не использованной ранее в коммерческих целях где-либо в мире». Агентство, утвердившее данные Правила, наделено правом лишь устанавливать порядок официальной регистрации топологий, а также определять требования к документам заявки на регистрацию. Вводя обязательную регистрацию топологий как условие их правовой охраны, Агентство вышло за пределы предоставленных ему полномочий, и потому его действия, явным образом расходящиеся с Законом, не порождают юридических последствий. Основное назначение регистрации состоит в создании условий, облегчающих признание и защиту прав на топологии в случае неправомерного их использования. Регистрируя новую топологию в специальном государственном органе, автор или иной правообладатель не только публично заявляет о своих правах на достигнутый творческий результат, но и официально удостоверяет те признаки, которые отличают его топологию от уже известных. В случае копирования или иного неправомерного использования топологии третьими лицами факт ее регистрации в значительной степени облегчает процесс доказывания нарушения прав автора или иного правообладателя. Наконец, в связи с тем, что исключительное право на использование топологии действует в течение установленного Законом срока (10 лет), регистрация топологии служит достаточно надежной исходной датой для исчисления указанного срока.
Регистрация топологии осуществляется на основе явочной системы, т. е. без проверки ее оригинальности, которая предполагается присутствующей. Однако п. 2 ст. 9 Закона от 3 сентября 1992г. устанавливает, что заявка на регистрацию может быть подана в срок, не превышающий двух лет с даты первого использования топологии, если оно имело место. Пропуск заявителем указанного срока может служить основанием для отказа в регистрации. После поступления заявки на регистрацию Агентство проверяет наличие необходимых документов и их соответствие установленным законодательством требованиям. При положительном результате проверки Агентство вносит топологию в Реестр топологий интегральных микросхем, выдает заявителю свидетельство об официальной регистрации и публикует сведения о зарегистрированной топологии в официальном бюллетене Агентства. До момента публикации сведений в официальном бюллетене заявителю предоставляется возможность по собственной инициативе или по запросу Агентства дополнять, уточнять и исправлять материалы заявки. Порядок официальной регистрации, формы свидетельств об официальной регистрации, состав указываемых в них сведений установлены Агентством в Правилах составления, подачи и рассмотрения заявок на официальную регистрацию топологий интегральных микросхем от 5 марта 1993 г. Сведения, внесенные в Реестр топологий, считаются достоверными до тех пор, пока не доказано обратное. Всю ответственность за достоверность указанных сведений несет заявитель.

За осуществление действий, связанных с официальной регистрацией топологий, взимаются регистрационные пошлины, размеры которых установлены Положением о регистрационных сборах за официальную регистрацию программ для ЭВМ, баз данных и топологий интегральных микросхем от 12 августа 1993 г. Для разных видов заявителей размеры регистрационных сборов являются различными. Так, например, за подачу заявки взимается 6000 руб. в случае, если заявителем является юридическое лицо, и 2000 руб., если заявителем является физическое лицо; за внесение топологии в Реестр топологий ИМС взимается, соответственно, 1600 и 800 руб., и т. д. Иностранные юридические и физические лица уплачивают регистрационные сборы в иностранной валюте по особым ставкам, отраженным в Положении.

Наряду с регистрацией топологии в Агентстве создатель топологии или иной правообладатель может предпринимать и иные меры, призванные в известной степени оградить его права от нарушений со стороны третьих лиц или, по крайней мере, облегчить процесс доказывания их нарушения. Достаточно распространенной мерой, носящей технический характер, является введение в топологию разного рода «ловушек» в виде избыточных, не подсоединенных элементов, инициалов разработчика и т. л. Присутствие таких идентифицирующих признаков в топологии кристалла ответчика, как правило, достаточно наглядно доказывает факт неправомерного заимствования чужой топологии. Другой мерой, носящей юридический характер, служит помещение на топологии или на изделии, включающем топологию, предупредительной маркировки. Целью такой маркировки является оповещение всех третьих лиц о том, что топология охраняется законом и не может быть использована без согласия правообладателя. Уведомление об этом делается в виде выделенной прописной буквы Т («Т», (Т), Т Т*), даты начала срока действия исключительного права на использование топологии и информации, позволяющей идентифицировать правообладателя.

Проставление данного знака охраны, как и регистрация топологии в Агентстве, носит факультативный характер и юридически никак не влияет на признание топологии охраняемым объектом. Однако использование предупредительной маркировки дает правообладателю очевидные преимущества. При условии выполнения им этой весьма необременительной операции, лицо, нарушившее его права, не сможет сослаться на то, что правонарушение совершено им невиновно. Кроме того, если значение регистрации ограничивается национальными рамками соответствующего государства, предупредительная маркировка не знает национальных границ и оповещает всех потенциальных пользователей об охраняемых законом правах создателя топологии или его правопреемника.

В соответствии со ст. 12 Закона автор или иной правообладатель может спрашивать правовую охрану топологии в зарубежных странах. Российское законодательство не устанавливает на этот счет никаких особых условий или ограничений. В связи с тем, что в ряде стран обязательным условием охраны топологий является их регистрация в соответствующем государственном органе, автор или иной правообладатель должен оформить и подать заявку в соответствии с требованиями национального законодательства. Расходы, связанные с получением правовой охраны топологии в зарубежных странах, несет лицо, испрашивающее такую охрану, или по соглашению с ним -- иное физическое или юридическое лицо.

4. Права авторов то

В результате создания оригинальной топологии ее автор, а в предусмотренных законом или договором случаях и иные лица, в частности работодатели и заказчики, приобретают ряд субъективных гражданских прав. Так же как в авторском и в патентном праве, указанные права подразделяются на личные неимущественные и имущественные. Среди личных неимущественных прав Закон прямо называет лишь право авторства, которым наделяется непосредственный создатель оригинальной топологии. Данное право носит абсолютный характер и неотделимо от личности автора. Договор, предусматривающий уступку или отказ от права авторства, в соответствии с российским законодательством является ничтожным и не порождает никаких юридических последствий. Право авторства действует в течение всей жизни создателя топологии. С его смертью авторство как субъективное право прекращает свое существование, но охраняется в качестве общественно значимого интереса.

Важнейшей чертой права авторства на достигнутые творческие результаты обычно считается его исключительность. В целом данная характеристика свойственна и праву авторства на топологию. По общему правилу, никто, кроме непосредственного создателя топологии, не может претендовать на то, чтобы считаться в глазах третьих лиц ее творцом. Однако если в авторском и в патентном праве данное положение проводится без каких-либо изъятий, то в рассматриваемой сфере допускается ситуация, когда авторство на одну и ту же топологию может принадлежать разным лицам. Это связано как со спецификой топологий как особых результатов творческой деятельности, так и с особенностями их правовой охраны. В отличие от произведений науки, литературы и искусства, которые считаются неповторимыми творческими достижениями, топология может быть повторена во всех своих существенных признаках другими лицами, не знакомыми с результатами первоначальных разработчиков. В патентном праве, где также возможна подобная ситуация, охраняемое законом право авторства признается за тем разработчиком, который первым достиг патентоспособного результата и позаботился о юридическом закреплении своего приоритета. В законодательстве об охране топологий интегральных микро-схем понятие приоритета отсутствует. Напротив, за автором идентичной топологии, созданной независимо от уже существующей, закрепляются те же права, которые предоставлены создателю оригинальной топологии. Разумеется, в случае возникновения спора об авторстве, автор, повторивший уже достигнутый творческий результат, должен доказать, что он работал самостоятельно и не заимствовал охраняемые законом результаты чужого творческого труда.

Помимо права авторства, к числу личных неимущественных прав создателя топологии следует отнести право на авторское имя. Хотя Закон его прямо и не выделяет, оно, бесспорно, принадлежит автору. В частности, имя действительного создателя топологии в соответствии со ст. 9 Закона должно быть указано в заявке на официальную регистрацию топологии, если только он не отказался быть упомянутым в качестве такового. По желанию автора его имя указывается и в числе сведений, публикуемых в официальном бюллетене Агентства. Право на имя, как и право авторства, с которым оно неразрывно связано, не может отчуждаться, носит абсолютный характер и охраняется бессрочно. Все иные предусмотренные законом права могут принадлежать не только автору, но и другим лицам. Так, правами на регистрацию топологии в Агентстве и применением предупредительной маркировки пользуются не только авторы, но и иные правообладатели. Аналогично обстоит дело и с основным имущественным правом -- исключительным правом на использование топологии. Предполагается, что обладателем данного права является сам создатель топологии, если только по закону или договору им не становится другое лицо, в частности его наследник, работодатель, заказчик или иной правопреемник. Сущность права на использование состоит в исключительной возможности правообладателя по своему усмотрению изготавливать, применять и распространять принадлежащую ему топологию всеми доступными способами и средствами. Другой негативной стороной указанного права является наложение на третьих лиц запрета совершать подобные действия без соответствующего разрешения правообладателя. Закон не дает исчерпывающего перечня закрепляемых за правообладателем форм использования топологии, исходя из того, что все они, за исключением тех, которые прямо указаны в законе, могут реализовываться лишь самим правообладателем или с его согласия.
Исключительное право на использование топологии носит срочный характер. Статья 10 Закона ограничивает срок его действия десятью годами, что соответствует сложившейся международной практике. Установление более продолжительного периода охраны топологий имело бы негативные последствия, поскольку служило бы тормозом научно-технического прогресса. Начало срока действия права на использование топологии определяется по более ранней из следующих дат: а) по дате первого использования топологии, под которой подразумевается наиболее ранняя документально зафиксированная дата введения в хозяйственный оборот где-либо в мире этой топологии или интегральной микросхемы с этой топологией; б) по дате регистрации топологии в Агентстве.
Из приведенного правила есть, однако, одно исключение. В случае появления идентичной оригинальной топологии, независимо созданной другим автором, начальный момент действия права на ее использование определяется по дате начала использования или регистрации ранее созданной топологии. Иными словами, общий срок действия права на использование такой топологии не может превышать десяти лет.

В тех случаях, когда право на использование топологии принадлежит не автору, а работодателю (ст. 7 Закона); автор (в случае смерти автора -- его наследник) имеет право на получение вознаграждения. В отличие от Патентного закона РФ Закон от 23 сентября 1992г. не содержит каких-либо указаний относительно минимального или хотя бы ориентировочного размера причитающегося автору вознаграждения. Все вопросы, связанные с порядком выплаты и размером вознаграждения, решаются договором между автором и работодателем. В связи с этим вполне возможна и такая ситуация, когда автор не вправе претендовать на получение какого-либо особого вознаграждения за создание топологии. Например, условие подобного рода может быть прямо зафиксировано в контракте, заключенном при приеме автора на работу. Если, однако, данный вопрос вообще не был оговорен сторонами, по смыслу Закона работодатель должен выплатить автору специальное вознаграждение. Размер последнего устанавливается соглашением сторон, а в случае невозможности его достижения определяется судом. Закон гарантирует автору топологии или иному правообладателю не только право использовать топологию в собственной сфере, но и предоставляет возможность полной или частичной передачи прав на ее использование другим физическим или юридическим лицам. Предоставление разрешения на использование топологии, равно как и полная уступка прав на такое использование, осуществляется на основании гражданско-правового договора. К числу существенных условий данного договора, которые в обязательном порядке должны быть согласованы сторонами, Закон относит вопросы об объеме и способах использования топологии, порядке выплаты и размере вознаграждения, а также сроке действия договора. Договор о передаче имущественных прав на топологию может быть заключен в простой письменной форме и по соглашению сторон зарегистрирован в Агентстве. Договор о полной уступке всех имущественных прав на топологию, которая зарегистрирована в Агентстве, подлежит обязательной регистрации в Агентстве. Порядок регистрации договоров о полной или частичной уступке прав на топологию отражен в Правилах регистрации договоров на программы для ЭВМ. базы данных и топологии интегральных микро-схем от 5 марта 1993 г. За регистрацию договора о полной уступке всех имущественных прав на топологию ИМС взимается регистрационный сбор в размере 4500 руб.; если по договору передаются лишь отдельные права, размер регистрационного сбора составляет 3500 руб. В случае регистрации договора о полной уступке всех имущественных прав на топологию Агентство вносит необходимые изменения в Реестр топологий ИМС, а также публикует сведения об этом в официальном бюллетене Агентства.
Если права на топологию принадлежат нескольким авторам или иным правообладателям, порядок пользования правами определяется договором между ними. Закон, однако, не содержит никаких указаний относительно того, как быть в той ситуации, когда соглашение сторон не может быть достигнуто. Представляется, что в данном случае по аналогии закона может быть применена ст. 10 Патентного закона РФ, которая гласит, что при отсутствии соглашения между правообладателями каждый из них может использовать охраняемый объект по своему усмотрению, по не вправе предоставлять на него лицензию или уступить патент другому лицу без согласия остальных владельцев. Указанное правило является вполне пригодным для разрешения спора между правообладателями в рассматриваемой сфере ввиду существенного сходства характера права на использование охраняемых объектов.

Закрепляя за автором топологии или иным правообладателем исключительное право па ее использование, Закон устанавливает ряд изъятий из сферы этого права. Прежде всего не признается его нарушением использование законно приобретенных интегральных микро-схем или изделий, содержащих такие микросхемы, если осуществляющее такое использование лицо не знало и не должно было знать, что эти интегральные микросхемы или содержащие их изделия изготовлены и распространяются с нарушением исключительного права на использование топологии (п. 1 ст. 8 Закона). Речь в данном случае идет о так называемом невиновном нарушителе, действия которого объективно носят противоправный характер, но с субъективной стороны его не в чем упрекнуть, поскольку он не знал и не должен был знать о том. что совершает правонарушение. Такая ситуация возникает, например, при использовании топологии в изделиях, приобретенных у третьих лиц, когда приобретатель не имел никаких оснований пола-гать, что приобретает контрактный товар. Невиновный нарушитель может ссылаться в оправдание своих действий на отсутствие на топологии или изделии, включающем топологию, предупредительной маркировки, на то, что топология не зарегистрирована в Агентстве и, следовательно, не опубликовано сведений о ее охране и т. п. Доказанность нарушителем своей невиновности исключает применение к нему предусмотренных Законом мер гражданско-правовой ответственности, но не освобождает его от обязанности по выплате правообладателю соразмерной компенсации за каждую интегральную микросхему или каждое изделие, содержащее такую микросхему.

Вторым изъятием из сферы исключительного права на использование топологии является использование топологии в личных целях без извлечения прибыли. Данный случай не требует особых комментариев, поскольку является обычным изъятием из сферы авторских, патентных или иных исключительных прав. К нему близко примыкает и такой разрешенный вид использования топологии, как ее использование в целях оценки, анализа, исследования или обучения. Следует подчеркнуть, что охраняемая топология выступает здесь в качестве объекта оценки, анализа или исследования, но не в качестве их средства. Что касается использования топологии в целях обучения, то в данном случае допускаются любые формы ее использования, способствующие обучению.

Следующий случай свободного использования топологии состоит в распространении интегральных микросхем с охраняемой топологией, введенных в хозяйственный оборот законным путем. Он выражает известный принцип «исчерпания прав», в соответствии с которым любое лицо, ставшее законным обладателем интегральной микросхемы или изделия, в котором она использована, может свободно распоряжаться ими, в том числе передавать третьим лицам, не спрашивая специального разрешения правообладателя. Права автора топологии или иного правообладателя исчерпываются контролем над введением топологии в хозяйственный оборот, но не распространяются на действия по фактическому использованию интегральных микросхем и изделий, их содержащих, третьими лицами, которые получили их на законном основании.
Наконец, не признаются нарушением исключительного права на использование топологии действия по использованию идентичной оригинальной топологии, независимо созданной другим автором. Допускаемая Законом возможность параллельной охраны идентичных топологий, созданных независимо друг от друга разными лицами, с неизбежностью требует признания за каждым из правообладателей прав на самостоятельное использование этих топологий. Поэтому действия каждого из них по использованию топологии не образуют нарушения прав другого (других) правообладателя. Таковы установленные Законом изъятия из сферы исключительного права на использование топологии, перечень которых носит исчерпывающий характер. Важно отметить, что российское законодательство не предусматривает возможности выдачи заинтересованным лицам каких-либо принудительных лицензий на использование охраняемых законом топологий. Всякое иное использование топологий, не подпадающее под рассмотренные выше случаи, может осуществляться лишь на основе заключения с правообладателем соответствующего договора.

5. Защита прав авторов то пологий и иных правообладателей

Нарушение прав авторов топологий и иных правообладателей служит основанием для применения к нарушителям предусмотренных законом санкций. Эти санкции носят разный юридический характер, не совпадают по своей направленности, а также условиям реализации. Так, большинство из них имеет гражданско-правовую природу и направлено прежде всего на восстановление нарушенных прав потерпевших, а если это невозможно -- на удовлетворение охраняемых законом интересов. Некоторые санкции имеют своими основными целями наказание правонарушителей, а также предотвращение нарушений чужих охраняемых законом прав, в связи с чем следует констатировать их административно-правовой характер. Среди гражданско-правовых санкций, в свою очередь, выделяются меры защиты и меры ответственности, которые различаются условиями своего применения, конкретной направленностью и т. п. Как и при защите авторских и патентных прав, выбор конкретных способов защиты зависит от потерпевшего, однако обычно он предопределяется видом нарушенного права, спецификой правонарушения, а также характером наступивших последствий.

Нарушение личных неимущественных прав чаще всего происходит путем их отрицания либо присвоения третьими лицами. Так, право авторства может быть нарушено путем исключения из числа соавторов лица, внесшего творческий вклад в создание топологий, путем выдачи чужой топологии за собственную разработку и т. п. Нарушением права на авторское имя будет не указание имени действительного создателя топологии в заявке на регистрацию или опубликованных сведениях, в искажении имени автора и т. д. Основными способами защиты личных неимущественных прав являются требования автора о признании нарушенного или оспариваемого права, о восстановлении положения, существовавшего до нарушения, и о прекращении действий, нарушающих право или создающих угрозу его нарушения. Исходя из общих положений гражданского права, потерпевший вправе также поставить вопрос об имущественном возмещении нанесенного ему морального вреда. Все указанные требования заявляются в суд и рассматриваются в обычном порядке гражданского судопроизводства.

Нарушения исключительного права на использование топологии образуют любые действия третьих лиц по ее использованию, если они совершаются без согласия правообладателя и не подпадают ни под один из предусмотренных законом случаев свободного использования. Статья 5 Закона от 23 сентября 1992г. называет типичные виды нарушений, относя к ним:

-- копирование топологии в целом или в части путем ее включения в интегральную микросхему или иным образом, за исключением копирования только той ее части, которая не является оригинальной;

-- применение, ввоз, предложение к продаже, продажа и иное введение в хозяйственный оборот топологии или интегральной схемы с этой топологией.

Как видно, указанный перечень возможных нарушений носит лишь примерный характер. Защита имущественных прав потерпевших осуществляется путем пресечения действий, нарушающих их права или создающих угрозу их нарушения, а также путем возмещения убытков. Например, автор топологии или иной правообладатель может требовать наложения запрета на несанкционированные применение или продажу интегральных микросхем с охраняемой топологией. Что касается причиненных убытков, то они подлежат возмещению в полном объеме, включая не только реальный ущерб, понесенный потерпевшим, но и упущенную им выгоду. В связи с тем, что практически реализация данной меры существенно осложнена необходимостью обоснования размера упущенной выгоды, Закон впервые в российском законодательстве устанавливает, что в размер убытков включается сумма доходов, неправомерно полученных нарушителем.

Помимо возмещения причиненных убытков, по усмотрению суда или арбитражного суда с правонарушителя может быть взыскан штраф в размере 10% от суммы, присужденной судом в пользу истца (п. 1 ст. 11 Закона). Указанный штраф налагается на нарушителя в случае неоднократного или грубого нарушения прав потерпевшего и взыскивается в доход республиканского бюджета РФ. В целях повышения эффективности указанных выше санкций и обеспечения их реальной реализации суд или арбитражный суд может вынести решение о конфискации незаконно изготовленных экземпляров интегральных микросхем и изделий, включающих такие микросхемы, а также материалов и оборудования, используемых для их изготовления. Конфискованные материальные объекты по решению суда либо уничтожаются, либо передаются в доход республиканского бюджета РФ или истцу по его просьбе в счет возмещения убытков.

В случае нарушения прав автора топологии его работодателем или заказчиком реализуются прежде всего те санкции, которые предусмотрены заключенным между ними договором. Если в договоре специальные санкции не установлены, создатель топологии может воспользоваться общими мерами защиты, предусмотренными Законом и другими актами гражданского законодательства.

Список литературы

1. Агарков М. М. Избранные труды по гражданскому праву. В 2 т. М.: АО «Центр “ЮрИнфоР”» (в серии «Научное наследие»), 2008

2. Алексеев С. С. Частное право. М.: Статут, 2007 г.

3. Богуславский М. М. Международное частное право. Учеб. 5-е изд., перераб. и доп. М.: Юристь, 2009 г.

4. Брагинский М. И., Витрянский В. В. Договорное право. Книга вторая: Договор о выполнении работ и оказании услуг. М.: Статут, 2008 г.

5. Гражданское право: Учеб. Для вузов. Часть первая / под общ. ред. Т. И. Илларионовой, Б. М. Гонгало, В. А. Плетнева. М.: Издательская группа Норма - Инфра-М, 2009 г.

6. Закон "О правовой охране топологий интегральных микросхем"

Подобные документы

Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.

курсовая работа , добавлен 17.02.2010

Изучение современных тенденций в области проектирования интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Анализ алгоритма создания интегральных микросхем в среде Cadence Virtuoso. Реализация логических элементов с использованием NMOS-транзисторов.

курсовая работа , добавлен 08.11.2013

Микроэлектронные технологии производства больших интегральных микросхем и их логические элементы. Нагрузочные, динамические параметры, помехоустойчивость переходов микросхем с одноступенчатой логикой и их схемотехническая реализация на транзисторах.

реферат , добавлен 12.06.2009

Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.

курсовая работа , добавлен 03.12.2010

Методика конструирования и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем, характеристика основных технологических операций и принципы выбора материала. Порядок расчета конденсаторов разрабатываемых микросхем, выбор и характеристика корпуса.

курсовая работа , добавлен 08.03.2010

Интегральные микросхемы, сигналы. Такт работы цифрового устройства. Маркировка цифровых микросхем российского производства. Базисы производства цифровых интегральных микросхем. Типы цифровых интегральных микросхем. Схемотехника центрального процессора.

презентация , добавлен 24.04.2016

Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.

презентация , добавлен 29.11.2013

Схемотехнические параметры. Конструктивно–технологические данные. Классификация интегральных микросхем и их сравнение. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем. Расчёт полупроводниковых резисторов, общие сведения об изготовлении.

курсовая работа , добавлен 13.01.2009

Маршрут изготовления биполярных интегральных микросхем. Разработка интегральной микросхемы методом вертикального анизотропного травления с изоляцией диэлектриком и воздушной прослойкой. Комплекс химической обработки "Кубок", устройство и принцип работы.

курсовая работа , добавлен 18.04.2016

Основные виды структур ИМС. Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы. Факторы, ограничивающие степень интеграции. Причины, ограничивающие минимальные размеры интегральных микросхем. Микросборка оптоэлектронных ИМС. Метод элементной избыточности.